[发明专利]一种Pd/SiO2

权利要求书

1.一种Pd/SiO₂@Al₂O₃纳米晶材料，其特征在于，包括Pd/SiO₂纳米晶以及包覆在所述Pd/SiO₂纳米晶表面的Al₂O₃层；

所述Pd/SiO₂纳米晶由Pd纳米晶体和SiO₂组成；

所述Pd纳米晶体复合在所述SiO₂表面。

2.根据权利要求1所述的Pd/SiO₂@Al₂O₃纳米晶材料，其特征在于，所述Al₂O₃层的厚度为1～20nm；

所述SiO₂为SiO₂纳米球；

所述Pd纳米晶体的粒径为5～30nm。

3.根据权利要求1所述的Pd/SiO₂@Al₂O₃纳米晶材料，其特征在于，所述Pd纳米晶体包括立方体Pd纳米晶体或八面体Pd纳米晶体；

所述SiO₂的粒径为350～450nm。

4.一种Pd/SiO₂@Al₂O₃纳米晶材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A)将聚乙烯吡咯烷酮、还原剂、助剂、纳米二氧化硅、水和钯源化合物混合进行反应后，得到Pd/SiO₂纳米晶；

B)将三甲基铝和水在上述步骤得到的Pd/SiO₂纳米晶表面进行沉积后，得到Al₂O₃包覆的Pd/SiO₂纳米晶材料；

C)将上述步骤得到的Al₂O₃包覆的Pd/SiO₂纳米晶材料分别在氧化和还原气氛下热处理后，得到Pd/SiO₂@Al₂O₃纳米晶材料。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤A)具体为：

A1)将聚乙烯吡咯烷酮、还原剂、晶形修饰剂、纳米二氧化硅和水混合后，得到混合液；

A2)将上述步骤得到的混合液和钯源化合物进行反应后，得到Pd/SiO₂纳米晶；

或：

A1`)将聚乙烯吡咯烷酮、还原剂、还原性助剂、纳米二氧化硅和水混合后，得到混合液；

A2)将上述步骤得到的混合液和钯源化合物进行反应后，得到Pd/SiO₂纳米晶。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述还原剂包括抗坏血酸、柠檬酸和聚乙烯吡咯烷酮中的一种或多种；

所述晶形修饰剂包括溴化钾和氯化钾混用、溴化钾和柠檬酸中的一种或多种；

所述还原性助剂包括乙醇；

所述钯源化合物包括四氯钯酸钠、四氯钯酸钾和四氯钯酸铵中的一种或多种；

所述纳米二氧化硅包括纳米二氧化硅的悬浮液；所述钯源化合物包括钯源化合物溶液。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述聚乙烯吡咯烷酮与所述还原剂的质量比为(9～13)：(6～20)；

所述晶形修饰剂与所述聚乙烯吡咯烷酮的质量比为21.5：(9～13)；

所述还原性助剂与所述聚乙烯吡咯烷酮的质量比为(30～40)：1；

所述纳米二氧化硅与所述聚乙烯吡咯烷酮的质量比为15：(9～13)；

所述水与所述聚乙烯吡咯烷酮的质量比为(4～7)：(9～13)；

所述钯源化合物与所述聚乙烯吡咯烷酮的质量比为1：(1.5～3)；

所述纳米二氧化硅的悬浮液的质量浓度为60～130mg/mL；

所述钯源化合物溶液的摩尔浓度为50～80mmol/L。