[发明专利]具有低电阻布线的MEMS构件和用于制造这种MEMS构件的方法

权利要求书

1.MEMS构件，具有第一衬底(100)和第二衬底(200)，所述第一衬底具有在第一侧(110)上的至少一个第一绝缘层(115)和至少一个第一金属化部(120)，所述第二衬底具有在第二侧(210)上的至少一个第二绝缘层(215)和至少一个第二金属化部(220)，其中，所述第二衬底(200)具有微机械功能元件(240)，所述微机械功能元件与所述第二金属化部(220)导电连接，

其特征在于，所述MEMS构件还具有所述第一衬底(100)和所述第二衬底(200)之间的混合式键合连接部，其中，所述第一侧(110)和所述第二侧(210)彼此贴靠地布置，其中，所述第一绝缘层(115)和所述第二绝缘层(215)相互连接，其中，所述第一金属化部(120)和所述第二金属化部(220)相互连接，

在所述第二金属化部(220)中构造有垂直电极(230)，所述垂直电极与所述微机械功能元件(240)以电极间距(235)相对置地布置，并且所述垂直电极(230)能够借助于所述第一金属化部(120)从外部电接触，其中，所述电极间距(235)仅仅由在所述垂直电极(230)与所述微机械功能元件(240)之间局部去除的第二绝缘层(215)的层厚度限定。

2.根据权利要求1所述的MEMS构件，其特征在于，所述第一金属化部(120)和所述第二金属化部(220)材料锁合地相互连接。

3.根据权利要求2所述的MEMS构件，其特征在于，所述第一金属化部(120)和所述第二金属化部(220)形成第一键合框(150)。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的MEMS构件，其特征在于，所述第一金属化部(120)和/或所述第二金属化部(220)具有铜。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的MEMS构件，其特征在于，在所述第二衬底(200)中局部地引入了掺杂物和/或压电电阻。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的MEMS构件，其特征在于，所述第二衬底(200)与第三衬底(300)这样连接，使得所述第二衬底(200)布置在所述第一衬底(100)和所述第三衬底(300)之间。

7.根据权利要求6所述的MEMS构件，其特征在于，所述第一衬底(100)和/或所述第三衬底(300)是电路衬底。

8.根据权利要求6所述的MEMS构件，其特征在于，所述第一衬底(100)和/或所述第三衬底(300)是硅衬底或玻璃衬底。

9.根据权利要求3所述的MEMS构件，其特征在于，所述第一键合框(150)是气密密封的。

10.根据权利要求6所述的MEMS构件，其特征在于，所述第二衬底(200)借助于第二键合框(250)与第三衬底(300)连接。

11.根据权利要求7所述的MEMS构件，其特征在于，所述第一衬底(100)和/或所述第三衬底(300)是ASIC。