[发明专利]半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

一第一基板，具有一上表面；

一第二基板，具有一下表面，其中该第一基板的上表面是面对该第二基板的下表面；

一晶粒，电性连接至该第一基板的上表面；

数个内连接元件，电性连接所述第一基板及所述第二基板，该内连接元件包括一上部及一下部，其中该上部接合该下部以形成一接合部，该下部具有一肩部，该肩部围绕该接合部，该下部更具有一顶面及一外围表面，该顶面为平面，该肩部是位于该顶面及该外围表面的交接处；及

一包覆材料，位于该第一基板的上表面及该第二基板的下表面之间，且包覆该晶粒及所述内连接元件；

其中，该第一基板上表面部分覆盖一第一介电层，第二基板的下表面部分覆盖一第二介电层，其中该包覆材料处于B阶段胶材的状态时即黏附该第一介电层与该第二介电层。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一基板更具有数个第一基板上导电垫，该第二基板更具有数个第二基板下导电垫；该上部电性连接所述第二基板下导电垫，该下部电性连接所述第一基板上导电垫。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一基板更具有一下表面及数个第一基板下导电垫，所述第一基板下导电垫显露于该第一基板下表面，且所述第一基板上导电垫显露于该第一基板上表面；该第二基板更具有一上表面及数个第二基板上导电垫，所述第二基板上导电垫显露于该第二基板上表面，且所述第二基板下导电垫显露于该第二基板下表面。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该下部的体积大于该上部的体积。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该外围表面为弧面，且该顶面是平行该第一基板上导电垫。

6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该晶粒的一背面与该第一基板的上表面的距离为第一高度h1，该肩部与该第一基板的上表面的距离为第二高度h2，该肩部与该第二基板的下表面的距离为第三高度h3，其中h1＞h2，且h2+h3＞h1。

7.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该下部与该第一基板上导电垫接触的区域具有一第一宽度，该上部与该第二基板下导电垫接触的区域具有一第二宽度，该下部本身具有一最大宽度，该下部更具有一顶面，该顶面具有一第三宽度，该接合部具有一第四宽度，其中该最大宽度大于该第一宽度、该第二宽度及该第三宽度，且该第三宽度大于该第四宽度。

8.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该包覆材料具有数个容纳槽以容纳所述内连接元件，所述容纳槽的侧壁的形状与所述内连接元件完全相符，且所述内连接元件的外表面接触所述容纳槽的侧壁。

9.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该包覆材料具有数个容纳槽以容纳所述内连接元件，且所述容纳槽的形状是由所述内连接元件所定义。

10.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该包覆材料为非导电膜、非导电胶或ABF。

11.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该包覆材料包含一区域A1及一区域A2，其中该区域A1为该包覆材料的最左侧边向右延伸一预设距离，该预设距离为该包覆材料最大宽度的10％，且该区域A2为该包覆材料的最右侧边向左延伸该预设距离，其中位于该区域A1及该区域A2的填充粒子的粒径分布及密度相同。