[发明专利]有机发光装置及其制作方法在审
| 申请号: | 201711180407.7 | 申请日: | 2017-11-23 |
| 公开(公告)号: | CN107910353A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
| 发明(设计)人: | 闫光;廖金龙;杨栋芳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 装置 及其 制作方法 | ||
1.一种有机发光装置,包括像素单元,所述像素单元包括发光器件,其特征在于,所述发光器件的发光位置位于由其发出的光色形成的驻波的第二反节点的位置。
2.根据权利要求1所述的有机发光装置,其特征在于,所述像素单元为多个,且多个所述像素单元的所述发光器件发出的光色不同,并且多个所述发光器件的总厚度不同,以使多个所述发光器件的发光位置均位于由各自发出的光色形成的驻波的第二反节点的位置。
3.根据权利要求2所述的有机发光装置,其特征在于,所述有机发光装置还包括像素界定层,且在所述像素界定层中设置有多个凹部,各个发光器件一一对应地设置在各个所述凹部中;
至少一个所述凹部的侧面具有一台阶,所述台阶用于在采用溶液制程方式在所述凹部中制作所述发光器件时,限定设置在该台阶所在凹部中的所述发光器件的总厚度。
4.根据权利要求3所述的有机发光装置,其特征在于,所述像素单元为三个,分别为红色像素单元、绿色像素单元和蓝色像素单元,其中,
在所述红色像素单元、绿色像素单元和蓝色像素单元的所述发光器件所在的所述凹部中分别设置所述台阶,且对应所述蓝色像素单元的台阶的高度最低,对应所述红色像素单元的台阶的高度最高;
或者,在所述绿色像素单元和蓝色像素单元的所述发光器件所在的所述凹部中分别设置所述台阶,且对应所述蓝色像素单元的台阶的高度低于对应所述绿色像素单元的台阶的高度。
5.根据权利要求4所述的有机发光装置,其特征在于,三个所述凹部的深度相同。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的有机发光装置,其特征在于,每个所述发光器件包括:
第一电极;
发光功能层,设置在所述第一电极上;
第二电极,设置在所述发光功能层上;
其中,所述发光功能层包括沿远离所述第一电极的方向依次设置的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层,且所述空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的任意一层用作发光位置调整层,通过调节所述发光位置调整层的厚度,来调节所述像素单元的总厚度。
7.根据权利要求1-5任意一项所述的有机发光装置,其特征在于,每个所述发光器件包括:
第一电极;
发光功能层,设置在所述第一电极上,所述发光功能层包括沿远离所述第一电极的方向依次设置的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层;
第二电极,设置在所述发光功能层上;
发光位置调整层,设置在所述第一电极和第二电极之间;通过调节所述发光位置调整层的厚度,来调节所述像素单元的总厚度。
8.一种有机发光装置的制作方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
在所述基板上形成像素界定层的整层膜层;
形成所述像素界定层的图形,所述像素界定层的图形包括在所述像素界定层的整层膜层中形成的凹部;
采用溶液制程方式在所述凹部中形成像素单元的发光器件;
其中,所述发光器件的发光位置位于由其发出的光色形成的驻波的第二反节点的位置。
9.根据权利要求8所述的有机发光装置的制作方法,其特征在于,所述形成所述像素界定层的图形,进一步包括:
在所述像素界定层的整层膜层中形成的多个凹部;
在至少一个所述凹部的侧面形成一台阶,所述台阶用于在采用溶液制程方式在所述凹部中形成所述发光器件时,限定设置在该台阶所在凹部中的所述发光器件的总厚度。
10.根据权利要求8所述的有机发光装置的制作方法,其特征在于,采用半色调掩膜版一次形成所述像素界定层的图形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





