[发明专利]一种剥离强度测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及芯片封装行业，具体涉及剥离芯片键合强度的测试方法。

背景技术

随着科技发展，电子产业突飞猛进，各种集成、控制电路需求急剧增长，对芯片封装的需求也增长迅猛。

芯片封装是指，将精密的半导体集成电路芯片安装到框架上，然后利用引线将芯片与框架引脚相连接，最后用环氧树脂将半导体集成电路芯片固封起来，外界通过引脚与内部的芯片进行信号传输。封装主要是对精密的半导体集成电路芯片进行固封，使半导体集成电路芯片在发挥作用的同时，不受外界湿度、灰尘的影响，同时提供良好的抗机械振动或冲击保护，提高半导体集成电路芯片的适用性。同时封装在金属框架上，增加了散热面积，提高了芯片的运行可靠性。

在键合技术中，键合强度是一个非常重要的参数。它是关系到键合好坏的一个技术指标：键合强度小，在加工过程中键合处很有可能会开裂，导致失效；只有键合强度大，才能保证产品的成品率和质量。

发明内容

本发明的目的是提供一种剥离强度测试方法，以弥补现有测试过程中的不足。

为了达到上述目的，本发明提供了一种剥离强度测试方法，步骤如下：

步骤1、取键合好的芯片固定于推力测试台上；

步骤2、调整推力测试探头，对准芯片键合球，并将机器启动进入待测试状态；

步骤3、启动推力测试仪，均匀加载推力，直至键合球剥离；

步骤4、推球测试后，在10-40倍显微镜下进行自视检查，并记录推球后压焊点现象。

优选的，上述步骤1中，键合好的芯片为金线/铜线键合芯片。

优选的，上述步骤2中，推力测试探头离芯片表面3~5μm处。

优选的，上述步骤3中，剥离强度参数如下：

1）金丝/铜丝球径＞96μm，F＞50g；

2）金丝/铜丝球径95～76μm，F＞30g；

3）金丝/铜丝球径75～61μm，F＞20g；

4）金丝/铜丝球径60～51μm，F＞15g；

5）金丝/铜丝球径50～40μm，F＞8g。

本发明的一种剥离强度测试方法，用于针对芯片键合中的剥离强度测试工序。本发明的有益效果是：根据不同芯片选用金丝/铜丝键合后球径的大小，分别来确定芯片键合强度的测试标准，以此来明确芯片的键合牢固程度，便于操作。

附图说明

图1为本发明的剥离强度测试示意图；

其中，1为芯片；2为键合球；3为推力测试探头。

具体实施方式

如图1所示，本发明主要针对芯片键合中的剥离强度测试工序，提供了一种剥离强度测试方法，具体步骤如下：

步骤1、取金丝/铜丝键合好的芯片固定于推力测试台上；

步骤2、调整推力测试探头3放置于芯片1表面3~5μm处，对准芯片键合球2，并将机器启动进入待测试状态；

步骤3、启动推力测试仪，均匀加载推力，直至键合球剥离；

步骤4、推球测试后，在10-40倍显微镜下进行自视检查，并记录推球后压焊点现象。

其中，推力测试探头的测力计读数为剥离强度，具体参数如下：

1）金丝/铜丝球径＞96μm，F＞50g；

2）金丝/铜丝球径95～76μm，F＞30g；

3）金丝/铜丝球径75～61μm，F＞20g；

4）金丝/铜丝球径60～51μm，F＞15g；

5）金丝/铜丝球径50～40μm，F＞8g。

推球测试后，在10-40倍显微镜下进行目视检查(如需要，高倍显微镜可以采用)，符合A，B，C，D模式的批量均为次品。