[发明专利]一种硅片晶圆划片后检测工艺

权利要求书

1.一种硅片晶圆划片后检测工艺，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、当第一片划完后，操作者应立即取出，在显微镜下检查或目视检查，划片槽是否偏斜，是否全划穿，蓝膜上是否有刀痕，有无芯片脱落，有效电路区中是否有缺角, 裂缝，钝化层受损，擦伤和沾污等的芯片；

步骤2、每片圆片CH1、CH2两个方向切割第五刀时必须停机检查，在划片过程中，每三十刀检查一次，检查内容包括切割槽宽度、切割位置等；

步骤3、切割刀痕的测量：操作员在设备上检查切割刀痕尺寸的数据，并且记录；

步骤4、对于已完成检查的圆片，则应将圆片存放在干燥箱或氮气柜中。

2.根据权利1所述的一种硅片晶圆划片后检测工艺，其特征在于，在步骤1中，如果第一片有问题，应立即采取措施，然后再检查紧跟切割的一片,直到正常。

3.根据权利1所述的一种硅片晶圆划片后检测工艺，其特征在于，在步骤2中，划片后须用清洗机清洗，清洗时间设定为三分钟。

4.根据权利1所述的一种硅片晶圆划片后检测工艺，其特征在于，操作员在进行上述操作时必须戴上防静电手套、指套、防静电手腕带。