[发明专利]一种声子晶体声表面波滤波器及制作方法有效
申请号: | 201711179959.6 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN107733393B | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 梁圣法;李冬梅;刘明;谢常青 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 表面波 滤波器 制作方法 | ||
1.一种声子晶体声表面波滤波器,包括:压电衬底、发送换能器、声子晶体点阵、接收换能器;其中,
所述接收换能器的数量为N个,其中N至少等于2;
所述发送换能器、接收换能器,形成于压电衬底上表面;
所述声子晶体点阵位于所述发送换能器、接收换能器围成区域的中心位置;
所述发送换能器为发散状叉指换能器,单个叉指电极与指根电极的垂直方向的夹角在0°~60°之间;
所述声子晶体点阵分为至少2个区域,用于偏转声表面波的传播方向。
2.如权利要求1所述的声子晶体声表面波滤波器,其特征在于,还包括:栅阵列;其中
栅阵列的数量至少一个,形成于所述压电衬底的上表面,分别置于声子晶体点阵与各个接收换能器之间。
3.如权利要求1或2所述的声子晶体声表面波滤波器,其特征在于,还包括:温度补偿层;
所述温度补偿层形成于所述声子晶体声表面波滤波器表面,用于抑制滤波器的温漂特性。
4.如权利要求1所述的声子晶体声表面波滤波器,其特征在于,声子晶体点阵形成于压电衬底内,靠近压电衬底上表面。
5.如权利要求1所述的声子晶体声表面波滤波器,其特征在于,接收换能器为平行状叉指换能器。
6.如权利要求1所述的声子晶体声表面波滤波器,其特征在于,各接收换能器之间的叉指电极宽度各不相同,用于接收不同频率的声表面波。
7.一种声子晶体声表面波滤波器的制作方法,用于制作权利要求1至6任一项所述的声子晶体声表面波滤波器,包括:
压电衬底上表面抛光,下表面打磨;
制备发送换能器与接收换能器;
在压电衬底中开孔,形成声子晶体点阵。
8.如权利要求7所述的声子晶体声表面波滤波器的制作方法,其特征在于,还包括:
制备栅阵列;
形成温度补偿层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711179959.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。