[发明专利]TFT基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S101，提供金属基底，并在所述金属基底上形成栅极绝缘层，得到第一初级结构；

步骤S102，在所述第一初级结构上沉积形成石墨烯，所述石墨烯包括连接设置的第一石墨烯层及第二石墨烯层，所述第二石墨烯层与部分所述第一石墨烯层形成双层石墨烯用作有源层，所述双层石墨烯位于所述栅极绝缘层上；

步骤S103，于所述第一石墨烯层及所述第二石墨烯层上形成有机绝缘层；

步骤S104，于所述有机绝缘层上形成底栅极，得到第二初级结构；

步骤S105，将所述第二初级结构进行上下翻转，使所述底栅极位于最下层，所述金属基底位于最上层；

步骤S106，蚀刻所述金属基底形成源极、顶栅极和漏极，其中，所述源极及所述漏极与所述第一石墨烯层连接，所述顶栅极与所述栅极绝缘层连接。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在所述步骤S101中，包括以下步骤：

提供所述金属基底，并于所述金属基底上沉积形成无图形的无机绝缘层；

于所述无机绝缘层上形成图形化的第一光阻层；

通过固化工艺形成图形化的所述栅极绝缘层；

剥离所述第一光阻层形成所述第一初级结构。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在所述步骤S106中，包括以下步骤：

于所述金属基底远离所述栅极绝缘层的一面上形成图形化的第二光阻层；

对所述金属基底进行蚀刻，得到所述源极、所述顶栅极和所述漏极；

剥离所述第二光阻层。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述金属基底的材料为铜、或镍。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述栅极绝缘层的材料为二氧化硅、氧化钇、二氧化铪中的一种。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述有机绝缘层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在步骤S102中，通过等离子增强化学气相沉积法沉积所述石墨烯。

8.一种TFT基板，其包括底栅极、有机绝缘层、石墨烯、栅极绝缘层、源极、顶栅极和漏极，所述底栅极、所述有机绝缘层、所述石墨烯及所述栅极绝缘层依次呈层叠设置，其特征在于：所述石墨烯包括连接设置的第一石墨烯层及第二石墨烯层，所述第一石墨烯层设于所述有机绝缘层上，所述第一石墨烯层与所述源极、所述漏极连接，所述第二石墨烯层与部分所述第一石墨烯层形成双层石墨烯用作有源层，所述双层石墨烯夹设于所述有机绝缘层与所述栅极绝缘层之间，所述顶栅极与所述栅极绝缘层连接。

9.如权利要求8所述的TFT基板，其特征在于：所述有机绝缘层形成容纳槽，所述栅极绝缘层容纳于所述容纳槽，所述双层石墨烯设于所述容纳槽邻近所述有机绝缘层的底部。

10.如权利要求9所述的TFT基板，其特征在于：所述有机绝缘层包括依次连接设置的第一表面、第二表面、第三表面、第四表面及第五表面，所述第二表面、第三表面、第四表面围成所述容纳槽，所述栅极绝缘层的第一侧面邻近所述第三表面设置，所述第一石墨烯层与所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面、所述第四表面及所述第五表面连接，所述第二石墨烯层夹设于所述第三表面与所述第一石墨烯层之间，所述源极位于所述第一表面上，所述漏极位于所述第五表面上。