[发明专利]触控感应层的制造方法、显示屏及显示器有效

专利信息
申请号: 201711178039.2 申请日: 2017-11-20
公开(公告)号: CN107994057B 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 胡重粮 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;G03F7/20;G06F3/041
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 感应 制造 方法 显示屏 显示器
【说明书】:

发明提供了一种触控感应层的制造方法、显示屏及显示器。所述显示屏采用所述制造方法制成,所述显示器包括所述显示屏。本发明的方案只需要一个掩膜板、一道曝光工艺就能制作显示屏的触控感应层中的绝缘体图案与电极图案。相较现有技术能够简化工艺,释放曝光机产能,进而降低工艺成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种触控感应层的制造方法、显示屏及显示器。

背景技术

触控显示屏包括触控感应层(Touch Sensor),触控感应层为实现触控感应的器件。触控感应层通常包括衬底,衬底之上依次形成有电极、绝缘体、金属桥,以及封装层。触控感应层的制造过程用到光刻工艺,其中电极与绝缘体的形成就分别需要一道光刻工艺,即提供两个掩膜板并分别使用两个掩膜板形成电极与绝缘体的图案。此种方式工艺使用了较多掩膜板并且需多次曝光,不利于曝光机产能的释放,导致工艺成本增加。

发明内容

有鉴于此,本发明提供了一种触控感应层的制造方法、显示屏及显示器,能够释放曝光机的产能,降低工艺成本。

一种触控感应层的制造方法,包括:在衬底上形成导电膜;在所述导电膜上形成覆盖所述导电膜的绝缘层;图案化所述绝缘层以形成多个平行间隔设置的第一绝缘条和多个平行间隔设置的第二绝缘条,所述第一绝缘条与第二绝缘条纵横交叉,所述第一绝缘条包括多个间隔排列的第一绝缘部,所述第二绝缘条包括多个间隔排列的第二绝缘部,每两个所述第一绝缘部通过一个第一连接部连接,且每个所述第一连接部的相对两侧各有一个与所述第一连接部相间隔的所述第二绝缘部;去除部分所述导电膜以形成多个第一电极及多个第二电极,每两个所述第一电极通过一个第二连接部连接,一个所述第一电极与一个所述第一绝缘部对应,一个所述第二连接部与一个所述第一连接部对应,一个所述第二电极与一个所述第二绝缘部对应;去除全部所述第二绝缘条及每条所述第一绝缘条中的所述第一绝缘部。

其中,当所述绝缘层为非金属材料时,图案化所述绝缘层以形成多个平行间隔设置的第一绝缘条和多个平行间隔设置的第二绝缘条的步骤包括:在所述绝缘层上涂覆光刻胶;通过掩膜板进行曝光并显影,以将所述掩膜板的图案转印到所述光刻胶上;对所述绝缘层进行蚀刻,将所述光刻胶上的图案转印到所述绝缘层上,以图案化所述绝缘层,形成多个平行间隔设置的第一绝缘条和多个平行间隔设置的第二绝缘条。

其中,去除全部所述第二绝缘条及每条所述第一绝缘条中的所述第一绝缘部的步骤包括:去除每个所述第二绝缘条上的全部光刻胶、每个所述第一绝缘部上的全部光刻胶,及每个所述第一连接部上的部分光刻胶;去除全部所述第二绝缘条与全部所述第一绝缘部;去除每个所述第一连接部上其余部分的所述光刻胶。

其中,当所述绝缘层为有机材料时,图案化所述绝缘层以形成多个平行间隔设置的第一绝缘条和多个平行间隔设置的第二绝缘条的步骤包括:通过掩膜板对所述绝缘层进行曝光,将所述掩膜板的图案转印到所述绝缘层上以图案化所述绝缘层,形成多个平行间隔设置的第一绝缘条和多个平行间隔设置的第二绝缘条。

其中,去除全部所述第二绝缘条及每条所述第一绝缘条中的所述第一绝缘部的步骤之后,所述制造方法包括:通过图案化工艺形成多个导接桥,每两个所述第二电极之间通过一个所述导接桥连接,一个所述导接桥与一个所述第一连接部对应,所述第一连接部位于所述导接桥与所述第二连接部之间,以将所述导接桥与所述第二连接部电隔绝。

其中,在去除所述导电膜的部分材料以形成多个第一电极及多个第二电极的步骤中,在对应的一个所述第二电极与一个所述第二绝缘部中,所述第二电极靠近所述第一连接部的边界内缩于所述第二绝缘部靠近所述第一连接部的边界;在通过图案化工艺在每两个所述第二电极之间形成导接桥的步骤中,每个所述导接桥的相对两端分别形成隔离部,一个所述隔离部包覆一个所述第二电极靠近所述第二连接部的侧面,每个所述隔离部均与所述第二连接部间隔设置。

其中,所述掩膜板为半色调掩膜板。

一种显示屏,包括触控感应层,所述触控感应层采用上述的制造方法制成。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711178039.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top