[发明专利]顶栅型薄膜晶体管的制作方法及顶栅型薄膜晶体管

说明书

本发明提供一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法及顶栅型薄膜晶体管。本发明的顶栅型薄膜晶体管的制作方法首先在衬底基板上依次形成第一绝缘层、第二绝缘层，利用第一道光罩在所述第二绝缘层上形成相间隔的第一过孔和第二过孔，在所述第一绝缘层上于第一过孔和第二过孔下方形成贯穿槽，该贯穿槽将所述第一过孔和第二过孔连通起来，与所述第一过孔和第二过孔共同构成垂直U型沟槽，然后在该垂直U型沟槽内填充形成有源层，最后利用第二道光罩在第二绝缘层上形成源极、漏极、栅极，简化了顶栅型薄膜晶体管的结构，减少了光罩制程数，用两道光罩即可完成一种具有垂直U型沟道的顶栅型薄膜晶体管的制作，节省了工艺制作成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法及顶栅型薄膜晶体管。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，简称AMOLED)中的主要开关元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。

薄膜晶体管具有多种结构，传统底栅结构的薄膜晶体管，由于栅极与源漏电极之间重叠面积较大，产生了较大的寄生电容，会导致信号的延迟，且制作出来的薄膜晶体管尺寸较大，因而限制了其应用。而顶栅型(Top gate)薄膜晶体管，由于源漏电极与栅极之间没有重叠，因此具有更低的寄生电容和更好的延展性，能够降低信号传输过程中的延迟，同时采用自对准的制备方法，有利于制备短沟道器件，提高器件特性，顶栅型薄膜晶体管结构就成为目前主要的发展方向。

现有技术中，顶栅型薄膜晶体管的正常制程需要较多的光罩数，图1为现有的顶栅型薄膜晶体管的结构示意图，如图1所示，所述顶栅型薄膜晶体管包括从下到上依次层叠设置于衬底基板100上的有源层200、栅极绝缘层300、栅极400、层间介电层500、源极610与漏极620，其中源极610与漏极620通过层间介电层500上设置的过孔与有源层200的两端相接触。

上述顶栅型薄膜晶体管的制作方法中，有源层200的图形化制程、栅极400和栅极绝缘层300的图形化制程、层间介电层500、源极610与漏极620的图形化制程分别需要使用一道光罩完成，因此整个顶栅型薄膜晶体管的制程至少需要四道光罩完成，工艺流程复杂，制作成本较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法，可以减少光罩制程数，节省工艺制作成本。

本发明的目的还在于提供一种顶栅型薄膜晶体管，结构简单，制作过程中可以减少光罩制程数，节省工艺制作成本。

为实现上述目的，本发明提供一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法，包括如下步骤：

步骤S1、提供一衬底基板，在所述衬底基板上依次沉积第一绝缘层、第二绝缘层；

步骤S2、提供第一道光罩，利用该第一道光罩在所述第二绝缘层上形成第一光刻胶层，以所述第一光刻胶层为遮蔽层，对所述第二绝缘层进行蚀刻，在所述第二绝缘层上形成相间隔的第一过孔和第二过孔；

步骤S3、对所述第一绝缘层进行蚀刻，在所述第一过孔和第二过孔下方形成与第一过孔和第二过孔均相连通的贯穿槽，该贯穿槽与所述第一过孔和第二过孔共同构成垂直U型沟槽；

步骤S4、提供半导体溶液，将所述半导体溶液涂敷至所述垂直U型沟槽，固化形成填充于该垂直U型沟槽的有源层；去除所述第一光刻胶层；

步骤S5、提供第二道光罩，利用该第二道光罩在所述第二绝缘层上图案化形成相间隔的源极、漏极、栅极，所述栅极设于所述第一过孔和第二过孔之间的第二绝缘层上，所述源极和漏极设于所述栅极的两侧并分别覆盖所述第一过孔和第二过孔内的有源层而与有源层相接触。