[发明专利]一种SiC肖特基二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种SiC肖特基二极管，包括：

第一导电类型的SiC衬底；

第一导电类型的SiC外延层，设置在所述衬底的第一表面上，并且所述外延层的掺杂浓度小于所述衬底的掺杂浓度；

介质层，设置在所述外延层的远离所述衬底的表面上并在中间形成开口，自所述开口向两侧具有厚度逐渐增加的斜坡结构；

第一电极层，设置在所述衬底的第二表面上；以及

第二电极层，包括覆盖所述开口的肖特基接触区和延伸到所述介质层上的场板结构。

2.如权利要求1所述的SiC结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述介质层由SiO₂材料构成。

3.如权利要求1所述的SiC肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电类型为N型。

4.如权利要求1所述的SiC肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电类型为P型。

5.一种如上所述的SiC肖特基二极管的制作方法，包括以下步骤：

提供第一导电类型的SiC衬底；

在所述衬底的第一表面上形成第一导电类型的SiC外延层，其中，所述外延层的掺杂浓度小于所述衬底的掺杂浓度；

在所述外延层的远离所述衬底的表面上形成介质层，所述介质层中间形成有开口，自所述开口向两侧具有厚度逐渐增加的斜坡结构；

在所述衬底的第二表面上形成第一电极层；以及

形成第二电极层，所述第二电极层包括覆盖所述开口的肖特基接触区和延伸到所述介质层上的场板结构。

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，利用掩模版形成所述介质层，所述掩模版包括不透光区、完全透光区和渐变透光区，

其中，在所述掩模版的中央位置为所述完全透光区，所述渐变透光区环绕所述完全透光区并被所述不透光区环绕，以及，

其中，所述渐变透光区中包括多个透光点，在自所述完全透光区至所述不透光区的方向上，所述透光点的密度逐渐减小，使得自所述完全透光区至所述不透光区的方向，所述渐变透光区的透光度逐渐减小。

7.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述形成外延层的步骤包括：

对所述衬底进行预处理；以及

在所述衬底上通过CVD方法生长所述外延层。

8.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所形成的介质层的厚度为100nm～2μm。

9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述外延层厚度为5～100μm，掺杂浓度为1.0×10¹⁵～1.0×10¹⁶cm^-3。

10.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述形成第一电极层的步骤中，利用电子束蒸发生长金属Ti、Ni或Al，形成的所述第一电极为阴极电极。

11.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述形成第二电极层的步骤包括：

在所述衬底的第二表面上电子束蒸发金属Ti、Ni或Pt；以及

在900℃～1100℃温度范围内，在真空环境或惰性气体氛围中进行快速热退火，形成的所述第二电极层为阳极电极。

12.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型。

13.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一导电类型为P型。