[发明专利]彩膜基板及其制备方法以及显示装置有效
申请号: | 201711176769.9 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN107946345B | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 王国英;宋振 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩膜基板 及其 制备 方法 以及 显示装置 | ||
本发明提供了彩膜基板及其制备方法以及显示装置。其中,所述彩膜基板包括:衬底;彩膜层,所述彩膜层设置在所述衬底的第一表面上,包括同层设置的黑矩阵和彩色滤光片;覆盖层,所述覆盖层设置在所述彩膜层远离所述衬底的表面上;隔垫物,所述隔垫物设置在所述覆盖层远离所述衬底的表面上;电极,所述电极设置在所述覆盖层远离所述衬底的表面上,且覆盖所述隔垫物。发明人发现,将隔垫物直接设置在覆盖层表面粘附力较强,使得隔垫物能够牢固的贴附在覆盖层表面上且不易脱落,从而提高产品良率,所述电极导电性能良好且能有效保护所述隔垫物,上述彩膜基板的结构简单,易于实现,成本较低。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体的,涉及彩膜基板及其制备方法以及显示装置。
背景技术
目前,OLED显示装置由于其优良的使用性能受到越来越广泛的关注。其中,按光从显示器中的OLED器件出射方向的不同,主要分为两种不同的结构:一种是底发射OLED器件,另一种是顶发射OLED器件。在底发射器件中,光只能部分地从阵列基板上设置的开口处射出,大部分的光都被浪费,开口率较低,而且随着清晰度的提高,开口率还会降低;在顶发射器件中,光从器件的顶部出射则不受阵列基板中薄膜晶体管(TFT)的影响,因此能有效提高开口率,理论上可达100%,有利于OLED器件与电路的集成。因此未来制备大尺寸、高清晰度显示装置需要重点研究顶发射有源驱动有机发光器件(AM-OLED),它要求OLED器件要与薄膜晶体管(TFT)配合使用,但是由于目前的彩膜基板良率低不能满足使用要求导致在TFT阵列基板与彩膜基板压合过程中存在很多工艺问题。
因而,目前的彩膜基板仍有待改进。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种隔垫物粘附力强、良率高、工艺简单或者成本低的彩膜基板。
在本发明的一个方面,本发明提供了一种彩膜基板。根据本发明的实施例,所述彩膜基板包括:衬底;彩膜层,设置在所述衬底的第一表面上,包括同层设置的黑矩阵和彩色滤光片;覆盖层,所述覆盖层设置在所述彩膜层远离所述衬底的表面上;隔垫物,所述隔垫物设置在所述覆盖层远离所述衬底的表面上;电极,所述电极设置在所述覆盖层远离所述衬底的表面上,且覆盖所述隔垫物。发明人发现,将隔垫物直接设置在覆盖层表面粘附力较强,使得隔垫物能够牢固的贴附在覆盖层表面上且不易脱落,提高产品良率,电极能够有效起到保护隔垫物和导电的作用,并且上述彩膜基板的结构简单,易于实现,成本较低。
根据本发明的实施例,所述电极包括:透明导电氧化物电极,所述透明导电氧化物电极设置在所述覆盖层远离所述衬底的表面上,且覆盖所述隔垫物;金属电极,所述金属电极设置在所述透明导电氧化物电极远离所述衬底的表面上。由此,结构简单,易于实现,且透明导电氧化物电极导电性能良好,并能进一步提高隔垫物的结合强度,使其不易移位和变形,而且将金属电极设置在透明导电氧化物电极的表面有利于提高电极的导电性,由于形成金属电极与透明导电氧化物电极的材料性质类似,将金属电极设置在透明导电氧化物电极的表面上粘附性较佳,不易脱落,二者结合的比较紧密、牢固,使得产品的良率较高,并可以简化工艺,成本较低,使用性能较佳。
根据本发明的实施例,所述金属电极由一个第一透明金属面电极或多个在第一方向上间隔设置的子金属电极构成。由此,结构简单,易于实现,导电性能较佳,使用性能较佳。
根据本发明的实施例,所述黑矩阵在所述衬底上的正投影覆盖所述子金属电极在所述衬底上的正投影。由此,子金属电极并不会影响光线的射出,可以为透明的也可以为不透明的,材料选择范围更加广泛,并且导电性能良好,有效提高显示质量,使用性能较佳。
根据本发明的实施例,所述电极由一个第二透明金属面电极构成。由此,结构简单,易于实现,导电性能较佳。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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