[发明专利]存储器元件

说明书

本发明实施例提供一种存储器元件。存储器元件包括一存储器阵列以及一互相汉明距离分析器。存储器阵列包括多个区段，其中每一区段包括多个位元，以及多个区段的位元的数量是相同的。互相汉明差异分析器得到操作在不同操作条件下的多个区段的内容，以得到内容的多个互相汉明差异，并从多个区段的互相汉明差异中提供一最大互相汉明差异以及一最小互相汉明差异。互相汉明差异表示对应于一第一操作条件的多个区段的一区段的内容与对应于不同于第一操作条件的一第二操作条件的多个区段的另一区段的内容之间的不相似位元的数量。本公开提供的存储器元件可提高存储效率以及用来存储在不同条件下来自所有晶粒或芯片的位元的存储空间。

技术领域

本公开有关于一种存储器元件，且特别有关于一种具有互相汉明差异分析器的存储器元件。

背景技术

尽管集成电路(IC)是批量制造的，但是由于物理性随机，即使使用相同的制造工艺和相同材料，每一集成电路都是独特的。可获取天生的差异并作为其独特的识别，例如DNA或人的指纹。近来，安全研究人员提出了不同的方法利用物理性随机来建立物理性不可复制功能(physically unclonable function，PUF)。一种类型的PUF是建立在SRAM存储器阵列内。使用SRAM来建立PUF的方法是基于SRAM中存储单元的上电状态(power-up state)。

发明内容

本公开提供一种存储器元件。存储器元件包括一存储器阵列以及一互相汉明距离分析器。存储器阵列包括多个区段，其中每一区段包括多个位元，以及多个区段的位元的数量是相同的。互相汉明差异分析器得到操作在不同操作条件下的多个区段的内容，以得到内容的多个互相汉明差异，并从多个区段的互相汉明差异中提供一最大互相汉明差异以及一最小互相汉明差异。互相汉明差异表示对应于一第一操作条件的多个区段的一区段的内容与对应于不同于第一操作条件的一第二操作条件的多个区段的另一区段的内容之间的不相似位元的数量。

附图说明

图1是显示根据本发明一些实施例所述的存储器元件；

图2是显示根据本发明一些实施例所述的图1的互相汉明距离分析器的示范图；

图3是显示根据本发明一些实施例所述的用以测量图1的存储器阵列的互相汉明距离的方法；

图4A是显示存储器阵列在第一操作条件Cond_1下的PUF的示范响应；

图4B是显示存储器阵列在第二操作条件Cond_2下的PUF的示范响应；

图4C是显示存储器阵列在第三操作条件Cond_3下的PUF的示范响应；

图5A是显示用以说明图4A的区段410B至区段410D与图4B的区段420A之间内容的互相汉明距离的表格；

图5B是显示用以说明图4A的区段410A、区段410C和区段410D与图4B的区段420B之间的内容的互相汉明距离的表格；

图5C是显示用以说明图4A的区段410A、区段410B和区段410D与图4B的区段420C之间的内容的互相汉明距离的表格；

图5D是显示用以说明图4A的区段410A至区段410C与图4B的区段420D之间的内容的互相汉明距离的表格；

图6A是显示用以说明图4A的区段410B至区段410D与图4C的区段430A之间内容的互相汉明距离的表格；

图6B是显示用以说明图4A的区段410A、区段410C与区段410D与图4C的区段430B之间内容的互相汉明距离的表格；

图6C是显示用以说明图4A的区段410A、区段410B与区段410D与图4C的区段430C之间的内容的互相汉明距离的表格；