[发明专利]一种集成光波导三维电场传感器

权利要求书

1.一种集成光波导三维电场传感器，其特征在于：由一个集成光波导一维电场传感器和一个集成光波导二维电场传感器固定在一起构成；

所述集成光波导一维电场传感器为：在一片铌酸锂晶片表面使用质子交换方法制作一个由输入Y形光波导、中间两段平行直波导、输出Y形光波导构成的马赫增德尔光波导干涉仪，在中间某一直波导臂两侧制作两片与直波导平行的金属电极，并制作与金属电极垂直相连接的金属偶极子天线，即构成一个集成光波导一维电场传感器；

所述集成光波导二维电场传感器为：在一片铌酸锂晶片表面使用质子交换方法制作一个两臂为两个M-Z光波导干涉仪的Y形光波导，其实质为在一片晶片上制作两个M-Z 光波导干涉仪，再分别在两个M-Z光波导干涉仪直波导臂两侧制作金属电极与天线，并使制作在两个M-Z光波导干涉仪上的天线互相垂直，即构成一个单片集成光波导二维电场传感器；

将制作好的一个集成光波导二维电场传感器和一个集成光波导一维电场传感器固定在一起，使得集成光波导一维电场传感器的天线和集成光波导二维电场传感器的天线相互垂直。

2.根据权利要求1所述的集成光波导三维电场传感器，其特征在于：所述集成光波导二维电场传感器具体采用如下方式构成：

在 x 切 y 传铌酸锂晶片（3）表面采用质子交换方法制作两臂为M-Z光波导干涉仪构成的Y形光波导，其实质为输入光波导连接在一起的两个M-Z光波导干涉仪，分别在这两个M-Z光波导干涉仪直波导臂两侧制作电极和偶极子天线，分别采用金属电极（6）和金属天线（5），并且制作的金属天线（5）和金属电极（6）成45度夹角，同时制作在两个M-Z光波导干涉仪上的两个金属天线（5）呈镜像结构，即使两个金属天线（5）互相垂直，即构成一种单片集成光波导二维电场传感器。

3.根据权利要求1所述的集成光波导三维电场传感器，其特征在于：所述集成光波导二维电场传感器具体采用如下方式构成：

在 x 切 y 传铌酸锂晶片（3）表面采用质子交换方法形成两臂为M-Z光波导干涉仪构成的Y形光波导，其实质为输入端连接在一起的两个集成M-Z光波导干涉仪，分别在这两个集成M-Z光波导干涉仪直波导臂两侧制作金属电极（6）和金属天线（5），其中制作在上边部分集成M-Z光波导干涉仪上的金属天线（5）和金属电极（6）互相垂直连接在一起，制作在下边部分集成M-Z光波导干涉仪上的金属电极（6）为分段电极天线，方向与上边部分集成M-Z光波导干涉仪上的金属天线（5）互相垂直，如此即构成一种单片集成光波导二维电场传感器。