[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区；

在所述第一区基底上形成第一栅极结构以及位于第一栅极结构两侧基底内的第一源漏掺杂区，所述第一源漏掺杂区内具有第一掺杂离子，所述第一源漏掺杂区内第一掺杂离子具有第一原子百分比浓度；

形成所述第一栅极结构和第一源漏掺杂区之后，在所述第一源漏掺杂区顶部形成第一改善层，第一改善层内所述第一掺杂离子具有第二原子百分比浓度，且所述第二原子百分比浓度大于第一原子百分比浓度；

形成所述第一源漏掺杂区之前，所述形成方法还包括：在所述第一区基底上形成第一伪栅结构；所述第一源漏掺杂区和第一栅极结构的形成步骤包括：在所述第一伪栅结构两侧的基底内分别形成第一源漏开口；在所述第一源漏开口内形成第一外延层；在所述第一外延层内掺入所述第一掺杂离子，形成所述第一源漏掺杂区；在所述基底和第一源漏掺杂区上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖第一伪栅结构的侧壁，且暴露出第一伪栅结构的顶部表面；去除所述第一伪栅结构，在所述第一介质层内形成第一伪栅开口；在所述第一伪栅开口内形成第一栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一原子百分比浓度的范围为：3.0E20原子数/立方厘米～1.0E21原子数/立方厘米，所述第二原子百分比浓度的范围为：1.0E21原子数/立方厘米～3.0E21原子数/立方厘米。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一改善层的厚度为：2纳米～8纳米；所述第一改善层的材料包括：硅。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一外延层的形成工艺包括：选择性外延生长工艺；所述选择性外延生长工艺的参数包括：退火温度为600摄氏度～800摄氏度，退火时间为200秒～1200秒。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一栅极结构包括第一栅介质层；所述第一栅介质层的材料为高K介质材料；所述栅介质层的材料为氧化铪时，所述栅介质层的形成工艺包括原子层沉积工艺，所述原子层沉积工艺的参数包括：沉积温度为25摄氏度～600摄氏度。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区用于形成PMOS晶体管时，所述第一掺杂离子为P型离子。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区用于形成NMOS晶体管时，所述第一掺杂离子为N型离子。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底还包括第二区；形成所述第一改善层之前，所述形成方法还包括：在所述第二区基底上形成第二栅极结构和位于第二栅极结构两侧基底内的第二源漏掺杂区，所述第二源漏掺杂区内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与第一掺杂离子的导电类型相反，所述第二源漏掺杂区内第二掺杂离子具有第三原子百分比浓度。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二栅极结构和第二源漏掺杂区之后，所述形成方法还包括：在所述第二源漏掺杂区顶部形成第二改善层，所述第二改善层内所述第二掺杂离子具有第四原子百分比浓度，且所述第四原子百分比浓度大于第三原子百分比浓度。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二源漏掺杂区之前，所述形成方法还包括：在所述第二区基底上形成第二伪栅结构；所述第二源漏掺杂区的形成步骤包括：在所述第二伪栅结构两侧的基底内分别形成第二源漏开口；在所述第二源漏开口内形成第二外延层；在所述第二外延层内掺入所述第二掺杂离子，形成所述第二源漏掺杂区。