[发明专利]存储器装置和操作存储器装置的方法

说明书

提供了一种存储器装置和一种操作该存储器装置的方法。所述存储器装置包括：电阻式存储器单元，连接到第一节点，被配置为包括可变电阻元件和用于控制流过可变电阻元件的电流的存取元件；检测电路，检测存取元件的阈值电压并向感测节点提供检测电流；钳位电路，连接在第一节点与感测节点之间，接收第一读取电压，并使第一节点的电压斜升。在钳位电路使第一节点的电压斜升的同时，当检测电流变为与流过第一节点的位线电流相等时，放电电路对第一节点进行放电。当感测节点的电压电平变为低于参考电压时，感测放大器转变输出电压值。

本申请要求于2016年12月13日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0169944号韩国专利申请的优先权和全部权益，该申请的内容通过引用包含于此。

技术领域

发明构思涉及一种存储器装置和操作存储器装置的方法。

背景技术

利用电阻材料来存储数据的类型的非易失性存储器装置包括相变随机存取存储器(PRAM)、电阻随机存取存储器(RRAM)和磁随机存取存储器(MRAM)等。动态随机存取存储器(DRAM)或闪存装置利用电荷存储数据，而利用电阻材料的非易失性存储器装置将通过使用以下的变化来存储数据：例如，诸如硫属元素化物合金的相变材料的相变(在PRAM的情况下)、可变电阻材料的电阻变化(在RRAM的情况下)以及根据铁磁材料的磁性状态的磁隧道结(MTJ)薄膜的电阻变化(在MRAM的情况下)等。

例如，在相变存储器单元的情况下，在相变材料在被加热后冷却时，相变材料变为晶态或非晶态。在晶态下，相变材料具有低电阻。在非晶态下，相变材料具有高电阻。因此，晶态可被定义为设置数据或“0”数据，非晶态可被定义为重置数据或“1”数据。

此外，用于控制相变存储器单元的存取元件或选择器可被实施为双向阈值开关(OTS)型以及二极管型和晶体管型。用于控制存储器单元的存取元件可以具有用于操作的阈值电压值。

发明内容

发明构思包括一种能够提供读取可靠性而与存取元件的阈值电压值无关的存储器装置。

发明构思还包括一种能够提供读取可靠性而与存取元件的阈值电压值无关的读取存储器装置的方法。

根据发明构思的实施例，一种存储器装置包括：电阻式存储器单元，连接到第一节点，所述电阻式存储器单元包括可变电阻元件和连接到可变电阻元件以控制流过可变电阻元件的电流的存取元件；检测电路，连接到感测节点并被配置为向感测节点提供检测电流以检测存取元件的阈值电压；钳位电路，连接在第一节点与感测节点之间，被配置为接收第一读取电压并使第一节点的电压斜升；放电电路，连接到第一节点，并被配置为：在钳位电路被配置为使第一节点的电压斜升的同时，当检测电流变为与流过第一节点的位线电流相等时，对第一节点进行放电；感测放大器，被配置为感测感测节点的电压电平，当感测节点的电压电平变为低于参考电压时转变供应到放电电路的输出电压值。

根据发明构思的实施例，提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：电阻式存储器单元，连接到第一节点，所述电阻式存储器单元包括可变电阻元件和连接到可变电阻元件以控制流过可变电阻元件的电流的存取元件；检测电路，连接到感测节点并被配置为向感测节点提供检测电流以检测存取元件的阈值电压；钳位电路，连接在第一节点与感测节点之间，被配置为接收第一读取电压并使第一节点的电压斜升；感测放大器，被配置为感测感测节点，当感测节点的电压电平变为低于参考电压时转变输出电压值；调整电路，被配置为接收第一读取电压和感测放大器的输出电压值，并向钳位电路提供第一读取电压。

根据发明构思的实施例，调整电路被配置为存储第二读取电压的电压电平，调整已存储的电压电平并且向钳位电路提供已调整的第二读取电压，其中，基于已调整的第二读取电压对电阻式存储器单元执行读取操作。此外，当停止向钳位电路提供第一读取电压时，可以向钳位电路施加第二读取电压。