[发明专利]一种调节离子铣均匀性的方法

权利要求书

1.一种调节离子铣均匀性的方法，其特征是首先将离子源安装在一个可调节高度及角度的支架上，其次，在离子源的石墨栅网外增加一块均匀性挡板；通过离子源倾斜角度、高低的调整及均匀性挡板的作用实现行星盘中圈和外圈上晶片的离子铣均匀性满足晶片内、晶片间及晶片批次间的均匀性≤10%，同时又保证离子铣的速度大于0.9 nm/min；所述的均匀性挡板的通孔形状为经过修正的扇形。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述的晶片内、晶片间及晶片批次间的均匀性测定方法为：取生长有氮化硅的晶片测试并记录晶片上均布的测量点的膜厚Ax，然后放置到行星盘中圈、行星盘外圈中进行离子铣；离子铣完成后再次测量晶片上测量点位置的膜厚Bx；得出每个位置的相差膜厚Cx=Ax-Bx，离子铣的均匀性为0.5×（Cmax-Cmin）/Cavg；其中Cmax为最大厚度差，Cmin为最小厚度差，Cavg为平均厚度差。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征是所述的测量点的数量为五个，它们由中心点和距中心点等距且均匀布置的四个点组成。