[发明专利]一种SONO刻蚀工艺的检测方法

权利要求书

1.一种SONO刻蚀工艺的检测方法，其包括以下步骤：

形成沟道侧壁堆叠结构，所述堆叠结构为SONO的堆叠结构；

刻蚀所述沟道侧壁堆叠结构；

在所述沟道中沉积填充掺杂的多晶硅；

对所述掺杂的多晶硅进行平坦化处理；

进行电子束检测(EBI)以检测所述刻蚀步骤的刻蚀效果。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于：

在所述形成沟道侧壁堆叠结构的步骤前，还包括，沉积衬底堆叠结构、刻蚀衬底堆叠结构、形成硅外延层的步骤；

其中，所述沉积衬底堆叠结构，具体为，提供衬底，所述衬底表面形成有多层交错堆叠的层间介质层及牺牲介质层，所述牺牲介质层形成于相邻的层间介质层之间；所述层间介质层为氧化硅层，所述牺牲介质层为氮化硅层，从而形成O/N堆叠结构(O/N Stacks)其中，所述刻蚀衬底堆叠结构，具体为，刻蚀所述层间介质层及牺牲介质层以形成沟道，所述沟道通至所述衬底并形成一定深度的第一硅槽；

其中，所述形成硅外延层，具体为，在所述第一硅槽处进行硅的外延生长形成硅外延层。

3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于：

所述形成沟道侧壁堆叠结构，具体为，首先，在所述沟道的侧壁及硅外延层的表面上依次沉积氧化硅/氮化硅/氧化硅/多晶硅；随后，在多晶硅表面再沉积一层帽氧化物层。

4.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于：

所述刻蚀步骤中，具体为，首先，沿所述沟道侧壁堆叠结构的底壁向下刻蚀，通至所述硅外延层并形成一定深度的第二硅槽；同时去除覆盖所述衬底堆叠结构顶面的所述沟道侧壁堆叠结构；随后，去除所述帽氧化物层。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的检测方法，其特征在于：

在所述沉积填充掺杂的多晶硅步骤之后、平坦化处理步骤之前，还包括对所述掺杂的多晶硅进行退火处理。

6.根据权利要求1-4任意一项所述的检测方法，其特征在于：

所述掺杂的多晶硅为磷掺杂多晶硅。

7.根据权利要求2-3任意一项所述的检测方法，其特征在于：所述平坦化处理采用化学机械研磨工艺，并截止于所述衬底堆叠结构最上层的氮化硅层。