[发明专利]用于扫描电容显微镜的样品的制备方法及使用该方法制备的样品

说明书

本发明提供了一种用于扫描电容显微镜的样品的制备方法，其特征在于：方法包括：提供目标地址区域，目标地址区域是要使用扫描电容显微镜进行扫描的任何结构，并且目标地址区域埋设于第一氧化物中，以及在第一氧化物之下具有硅片；在第一氧化物上沉积第二氧化物；在第二氧化物上黏贴一层或多层玻璃片，得到待研磨样品；以及研磨待研磨样品，从而得到用于扫描电容显微镜的样品。本发明在现有的待研磨SCM截面样品上再沉积氧化物层，并黏贴玻璃片层，增加了待研磨SCM截面样品的整体厚度，使得在研磨过程中，由于用力不均匀而导致的曲面截面现象不会损坏目标地址区域。

技术领域

本发明涉及一种样品的制备方法及用该方法制备的样品，特别涉及一种用于扫描电容显微镜的样品的制备方法及使用该方法制备的样品。

背景技术

自从原子力显微镜(SAFM)被发明后，其被广泛应用在物理、化学、生物和材料等科学领域，而衍生出的扫描电容显微镜(SCM)也成为开发、制造和检验半导体器件的一种非常重要且必要的手段，尤其对于半导体器件的离子注入工艺的检验而言，扫描电容显微镜更是一种必不可少的检验手段。

目前广泛使用的SCM是利用AFM接触模式(contact mode)下，导电的AFM针尖与半导体样品间加一低频交流电场，样品中的自由载流子周期性被针尖吸引或排斥，针尖与半导体样品构成的电容也随之变化，这一电容变化利用超高频共振电容传感器来测量取得结果。因为其测试过程需要针尖与样品表面直接接触，所以样品表面的平整度直接影响最终结果的真实性以及最小分辨率。

现有技术中的待研磨SCM截面样品如图1a所示，其中待研磨SCM截面样品包括硅片层103，第一氧化物层102，以及在氧化物层内部埋设的目标地址区域101，作为示例，目标地址区域101可以是进行离子注入工艺之后的半导体器件，图1a中虚线表示待测截面，需要使用研磨手段将虚线任意一侧的样品磨掉。为了得到能够使用SCM进行检查的样品，需要从图1a的整个结构的一侧开始进行研磨(研磨方法是本领域公知的利用抛光布进行的抛光)，直到从一侧露出目标地址区域101为止。使用研磨方法制备的理想SCM截面样品如图1b，可见，研磨后的表面是笔直的，并且目标地址区域101整齐的裸露于样品的一侧表面。但是由于研磨时用力不均匀，实际制备的SCM截面样品如图1c，可见，研磨后的表面是弯曲的，在目标地址区域101比较接近于样品表面时(如图1c的情况)，传统制样方法会将扫描区域破坏，从而无法获取地址的电容信息，目前没有更好的方法制备扫描区域靠近样品表面的截面SCM样品。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于扫描电容显微镜的样品的制备方法及使用该方法制备的样品，从而克服现有技术的缺点。

为实现上述目的，本发明提供了一种用于扫描电容显微镜的样品的制备方法，其特征在于：方法包括：提供目标地址区域，目标地址区域是要使用扫描电容显微镜进行观察的任何结构，并且目标地址区域埋设于第一氧化物中，以及在第一氧化物之下具有硅片；在第一氧化物上沉积第二氧化物；在第二氧化物上黏贴一层或多层玻璃片，得到待研磨样品；以及研磨待研磨样品，从而得到用于扫描电容显微镜的样品。

优选地，上述技术方案中，其中，在第一氧化物上沉积第二氧化物具体为：使用聚焦离子束-电子束方法在第一氧化物上沉积第二氧化物。

优选地，上述技术方案中，其中，在第二氧化物上黏贴一层或多层玻璃片具体为：使用强力胶在第二氧化物上黏贴一层或多层玻璃片。

优选地，上述技术方案中，其中，在第二氧化物上仅黏贴一层玻璃片。