[发明专利]控制3D NAND闪存结构中沟道关键尺寸的方法

权利要求书

1.一种3D NAND闪存结构的沟道刻蚀过程中控制沟道关键尺寸(CD)的方法，包括以下步骤：

在衬底表面沉积衬底堆叠结构；所述衬底堆叠结构为由层间介质层和牺牲介质层所组成的O/N堆叠结构(O/N Stacks)，所述层间介质层为正硅酸乙酯(TEOS)，所述牺牲介质层为氮化硅(SiN)；

为形成顶层选择栅切线进行光刻；

为形成顶层选择栅切线进行刻蚀，以形成顶层选择栅切线沟槽；

采用原子层沉积工艺对顶层选择栅切线沟槽进行氧化物填充；

将原子层沉积工艺在衬底背面形成的氧化物材料去除；

沉积沟道刻蚀用硬掩模层；所述沉积沟道刻蚀用硬掩模层为，在原子层沉积的氧化物材料表面依次沉积氧化物层/氮化物层/氧化物层；

为形成沟道进行光刻；

为形成沟道进行刻蚀；所述为形成沟道进行刻蚀，采用等离子干法刻蚀(Plasma DryEtch)。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述为形成顶层选择栅切线进行光刻为，首先在衬底堆叠结构的表面上形成顶层选择栅切线光刻层；然后在需要形成选择栅切线的位置实施光刻。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：

所述为形成顶层选择栅切线进行刻蚀为，采用常规刻蚀工艺在前述光刻位置形成顶层选择栅切线的沟槽，并去除所述顶层选择栅切线光刻层以露出衬底堆叠结构的表面。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述为形成沟道进行光刻为，首先在硬掩模层的表面上形成沟道光刻层；然后在需要形成沟道的位置实施光刻。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：

所述为形成沟道进行刻蚀为，采用常规刻蚀工艺在前述光刻位置形成沟道，并去除所述沟道光刻层以露出衬底堆叠结构的表面。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于：

将原子层沉积工艺在衬底背面形成的氧化物材料去除，采用湿法清洗(Wet Clean)的工艺。