[发明专利]用于晶圆刻蚀的反应槽

说明书

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种用于晶圆刻蚀的反应槽。本发明所述的用于晶圆刻蚀的反应槽，其中包括槽体，所述槽体内设有升降臂、传动单元和导向单元，所述升降臂的内部为中空结构，所述传动单元设于所述升降臂的内部，所述传动单元的输入端与动力源相连，所述传动单元的输出端与所述导向单元的一端相连，所述导向单元的另一端穿过所述升降臂且能够与所述升降臂之间发生转动，所述导向单元穿过所述升降臂的所述另一端用于支撑晶圆并带动所述晶圆进行转动。通过使用本发明所述的用于晶圆刻蚀的反应槽，能够将刻蚀过程中的晶圆进行转动，有效地对晶圆表面进行均匀的刻蚀，提高晶圆表面质量。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种用于晶圆刻蚀的反应槽。

背景技术

现有技术中，在湿法工艺晶圆进行刻蚀时，需要将晶圆整体浸泡在晶圆刻蚀反应槽的内部，并固定于晶圆支架上。由于浸泡式清洗机酸槽内的酸液一直是从反应槽的底部进行供应，从反应槽的顶部进行溢出，而在这个过程中，酸液一直在跟晶圆上的膜起反应，所以酸槽顶部的局部浓度会低于酸槽底部的浓度，也就是说酸槽底部的酸液蚀刻率要比酸槽顶部的酸液蚀刻率高。在晶圆蚀刻过程时间较短的时候，晶圆表面的蚀刻不均匀性表现的不是很明显，但当长时间将晶圆浸泡在酸槽溶液中时，这种晶圆表面的蚀刻不均匀性便会凸显出来，具体表现为晶圆底部的蚀刻率高，晶圆顶部的蚀刻率低。

发明内容

本发明的目的是为了解决上述存在的至少一个问题，该目的是通过以下技术方案实现的。

本发明提出了一种用于晶圆刻蚀的反应槽，其中包括槽体，所述槽体内设有升降臂、传动单元和导向单元，所述升降臂的内部为中空结构，所述传动单元设于所述升降臂的内部，所述传动单元的输入端与动力源相连，所述传动单元的输出端与所述导向单元的一端相连，所述导向单元的另一端穿过所述升降臂且能够与所述升降臂之间发生转动，所述导向单元穿过所述升降臂的所述另一端用于支撑晶圆并带动所述晶圆进行转动。

进一步地，所述传动单元包括主动轮和从动轮，所述主动轮和所述从动轮之间通过皮带传动连接，所述主动轮与所述动力源相连，所述从动轮与所述导向单元的所述一端相连。

进一步地，所述主动轮的径向尺寸大于所述从动轮的径向尺寸。

进一步地，所述皮带的表面设有PFA防酸涂层。

进一步地，所述导向单元包括第一导向杆、第二导向杆和第三导向杆，所述第一导向杆的第一端与所述从动轮相连，所述第一导向杆的第二端穿过所述升降臂并能够与所述升降臂之间发生转动，所述第二导向杆和所述第三导向杆的第一端同样设于所述升降臂的内部并能够与所述升降臂之间发生转动，所述第二导向杆和所述第三导向杆的第二端穿过所述升降臂并能够支撑所述晶圆。

进一步地，所述第一导向杆、所述第二导向杆和所述第三导向杆之间设定为等腰三角形，所述第二导向杆和所述第三导向杆处于同一竖直高度且高于所述第一导向杆的高度。

进一步地，所述第一导向杆、所述第二导向杆和所述第三导向杆上均设有密封轴承，所述密封轴承固定连接于所述升降臂上。

进一步地，还包括通气管，所述通气管能够与所述升降臂的内部相通连接，并能够向所述升降臂的内部通入氮气。

进一步地，所述升降臂内通入氮气后的气压为1.1～1.5个标准大气压。

进一步地，所述第一导向杆、所述第二导向杆和所述第三导向杆的外圆周面上设有多个能够支撑所述晶圆的定位槽。

通过使用本发明所述的用于晶圆刻蚀的反应槽，能够将刻蚀过程中的晶圆进行转动，有效地对晶圆表面进行均匀的刻蚀，提高晶圆表面质量。

附图说明