[发明专利]一种厚膜混合集成电路及其批量生产控制方法

权利要求书

1.一种厚膜混合集成电路，包括厚膜电阻R6、厚膜电阻R7、瓷片电容C2、瓷片电容C3；其特征在于：厚膜电阻R6另一端连接厚膜电阻R7一端，厚膜电阻R7另一端连接运算放大器U2的同相输入端；

厚膜电阻R6另一端连接瓷片电容C2一端，瓷片电容C2另一端连接电阻R8一端、运算放大器U2的输出端，电阻R8另一端连接运算放大器U2的反相输入端；

瓷片电容C3一端连接运算放大器U2的同相输入端，瓷片电容C3另一端接地；

电阻R9一端连接运算放大器U2的反相输入端，电阻R9另一端接地；

所述厚膜电阻R6、瓷片电容C2形成第一组阻容对；厚膜电阻R7、瓷片电容C3形成第二组阻容对；

厚膜电阻R6与瓷片电容C2的乘积、以及厚膜电阻R7与瓷片电容C3的乘积保持精确固定，其积的精度误差需控制到0.11%以内；

所述厚膜电阻R6、厚膜电阻R7阻值为：615.0±1.0KΩ，精度要求控制在0.15%以内；

所述瓷片电容C2、瓷片电容C3为：NPO/1206/1%高精度瓷片电容。

2.如权利要求1任意一项所述的一种厚膜混合集成电路，其特征在于：该电路工作于二阶选频非线性工作点。