[发明专利]用于SONOS存储器的复位电路及复位方法在审
| 申请号： | 201711163636.8 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107945824A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 刘芳芳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/20 | 分类号： | G11C7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 sonos 存储器 复位 电路 方法 | ||
1.一种用于SONOS存储器的复位电路，每一Page latch电路对应一复位电路，每一复位电路控制其对应的page latch电路进行复位，形成一个子单元，所述SONOS电路即由多个子单元形成阵列；
其特征在于：所述每个复位电路，增加一个电容来控制复位时间，同时将多个复位电路以及page latch电路进行分组，每组的多个复位电路的电容编号从C1～Cn，n为非零的自然数，且为每组的复位电路单元个数。
2.如权利要求1所述的用于SONOS存储器的复位电路，其特征在于：所述电容为普通电容，或者是用MOS管代替。
3.如权利要求1所述的用于SONOS存储器的复位电路，其特征在于：对SONOS电路的分组，是将1024个page latch电路进行每8个分为一组，每组的复位电路中，电容从C1～C8。
4.一种用于SONOS存储器的复位电路的复位方法，其特征在于：复位电路复位时，是将所述多个复位电路进行分组，分组按时序进行复位。
5.如权利要求4所述的用于SONOS存储器的复位电路的复位方法，其特征在于：每个分组内的复位电路是按照从C1至Cn的时序依次进行复位，所述C1～Cn为电容。
6.如权利要求5所述的用于SONOS存储器的复位电路的复位方法，其特征在于：通过调整匹配每组内电容不同的容量值形成不同的充放电时间来形成复位的时序。
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