[发明专利]一种薄膜的制备方法及其应用、QLED器件

权利要求书

1.一种应用于QLED器件的薄膜的制备方法，其特征在于，所述QLED器件包括第一电极、电子传输层、发光层和第二电极，所述电子传输层由所述薄膜制成，所述薄膜制备方法包括步骤：

将第一金属盐溶液和第二金属盐溶液混合，加入第一燃料，混合均匀后得到混合液，将混合液沉积成膜，加热使第一燃料分解放热，促进第一金属盐与第二金属盐反应得到薄膜；

其中，第一燃料为反应体系中温度在120℃以上即可发生分解反应的燃料，第一金属为正二价态金属元素和正三价金属元素中一种或多种，第二金属为正三价态金属和正四价态金属元素中一种或多种。

2.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所有的第一金属盐的第一金属金属元素与所有的第二金属盐的第二金属元素的摩尔比为1:1。

3.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一燃料为乙酰丙酮。

4.根据权利要求3所述的薄膜的制备方法，其特征在于，乙酰丙酮与第一金属金属元素的摩尔比为2:1～7:1。

5.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述加热温度为120-140℃。

6.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述将混合液成膜前还包括向混合液中加入第二燃料的步骤，所述第二燃料为反应体系中温度在150℃以上即可发生分解反应的燃料。

7.根据权利要求6所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二燃料为尿素、甘氨酸、蔗糖、葡萄糖、柠檬酸中一种或多种。

8.根据权利要求7所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二燃料与第一金属金属元素的摩尔比为0.8:1～1.2:1。

9.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一金属为Ca、Sr、Ba、La、Sc中的一种或多种，第二金属为Ti、Zr、Sn、Fe、Al、Ga中一种或多种。

10.一种QLED器件，所述QLED器件包括第一电极、电子传输层、发光层和第二电极，其特征在于，所述电子传输层由如权利要求1～9任一所述方法制备的薄膜制成。