[发明专利]氧化物薄膜的制备方法与QLED器件

权利要求书

1.一种QLED器件，所述QLED器件包括空穴功能层，其特征在于，所述空穴功能层为氧化物薄膜，所述氧化物薄膜的制备方法包括步骤:

将二价态的金属元素A的盐、三价态的金属元素B的盐和四价态的金属元素C的盐混合于双氧水中，所述A、B与C的摩尔比为1:x1:(1-x1)，其中0.05x10.35；或是将二价态的金属元素A的盐、三价态的金属元素B的盐和三价态的金属元素D的盐混合于双氧水中，所述A、B与D的摩尔比为x2:(1-x2):1，其中0.02x20.35；

将碱加入所述双氧水中进行反应，得到AB_x1C_(1-x1)O₃或A_x2B_(1-x2)DO₃；

将AB_x1C_(1-x1)O₃或A_x2B_(1-x2)DO₃分散于溶剂中，得到AB_x1C_(1-x1)O₃溶液或A_x2B_(1-x2)DO₃溶液；沉积所述AB_x1C_(1-x1)O₃溶液或A_x2B_(1-x2)DO₃溶液，制备得到AB_x1C_(1-x1)O₃薄膜或A_x2B_(1-x2)DO₃薄膜；

在含有还原性气体的气氛中对所述AB_x1C_(1-x1)O₃薄膜或A_x2B_(1-x2)DO₃薄膜进行退火处理，使得在所述AB_x1C_(1-x1)O₃薄膜或A_x2B_(1-x2)DO₃薄膜中产生氧空位；

所述AB_x1C_(1-x1)O₃中，所述A选自Sr和Ba中的一种，所述B选自Al和Ga中的一种，所述C选自Zr和Sn中的一种；

所述A_x2B_(1-x2)DO₃中，所述A选自Sr和Ba中的一种，所述B选自Fe、Ga和La中的一种，所述D选自Al和Sc中的一种。

2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，在含有还原性气体的气氛中，退火处理的温度控制在150-300℃之间，和/或退火处理的时间控制在15-120min之间。

3.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述还原性气体选自氢气、一氧化碳和甲烷中的一种。