[发明专利]一维纳米材料薄膜的密度测量方法及密度均匀性检测方法

说明书

提供了一种一维纳米材料薄膜的密度测量方法和一维纳米材料薄膜的密度均匀性检测方法。该一维纳米材料薄膜的密度测量方法包括测量一维纳米材料薄膜对应的接触角；以及基于接触角确定一维纳米材料薄膜的密度。

技术领域

本公开涉及一维纳米材料，具体涉及一维纳米材料薄膜的密度测量方法及密度均匀性检测方法。

背景技术

近年来一维纳米材料得到了极大的发展。通常，一维纳米材料在基底表面的密度和均匀性是需要测量的参数，而常用的测量手段通常需要使用扫描电子显微镜、原子力显微镜等形貌扫描设备。这些测量设备价格昂贵、表征速度慢，很难满足工业级的生产要求。

发明内容

根据本公开的第一方面，提供了一种一维纳米材料薄膜的密度测量方法，其包括：

测量一维纳米材料薄膜对应的接触角；以及

基于接触角确定一维纳米材料薄膜的密度。

根据本公开的至少一个实施方式，测量一维纳米材料薄膜对应的接触角的步骤包括：

在一维纳米材料薄膜上形成液滴；以及

通过角度测量装置或高度测量装置手动地测量液滴相对于一维纳米材料薄膜的接触角。

根据本公开的至少一个实施方式，测量一维纳米材料薄膜对应的接触角的步骤包括：使用接触角测量仪来测量一维纳米材料薄膜对应的接触角。

根据本公开的至少一个实施方式，测量液滴的接触角的步骤包括：测量液滴的多个接触角，以及计算多个接触角的平均值。

根据本公开的至少一个实施方式，基于接触角确定一维纳米材料薄膜的密度的步骤包括：基于平均值确定一维纳米材料的密度。

根据本公开的至少一个实施方式，一维纳米材料薄膜包括以下薄膜之一：碳纳米管薄膜、硅纳米线薄膜和银纳米线薄膜。

根据本公开的至少一个实施方式，方法还包括：建立接触角与一维纳米材料的密度的对应关系，

基于接触角确定一维纳米材料薄膜的密度的步骤还包括：根据对应关系，确定出与接触角相对应的一维纳米材料薄膜的密度。

根据本公开的至少一个实施方式，建立接触角与一维纳米材料的密度的对应关系的步骤还包括：

测量多个一维纳米材料薄膜对应的接触角，其中多个一维纳米材料薄膜具有不同的密度；以及

基于测量的接触角与多个不同的密度建立对应关系。

根据本公开的至少一个实施方式，基于接触角确定一维纳米材料薄膜的密度的步骤包括：根据预先确定的接触角与一维纳米材料薄膜的密度的对应关系，确定出与接触角对应的一维纳米材料薄膜的密度。

根据本公开的第二方面，提供了一种一维纳米材料薄膜的密度均匀性检测方法，其包括：

在一维纳米材料薄膜上的多个位置处执行上述的一维纳米材料薄膜的密度测量方法，以获得一维纳米材料薄膜在多个位置处的密度；以及

基于一维纳米材料薄膜在多个位置处的密度确定一维纳米材料薄膜的密度均匀性。

附图说明

附图示出了本公开的示例性实施方式，并与其说明一起用于解释本公开的原理，其中包括了这些附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图包括在本说明书中并构成本说明书的一部分。

图1示意性示出了根据本公开实施方式的一维纳米材料薄膜的密度测量方法的流程图；

图2示出了根据本公开实施方式的接触角相对于碳纳米管薄膜的密度的变化曲线的示例；