[发明专利]半导体性单壁碳纳米管的提纯方法

权利要求书

1.一种半导体性单壁碳纳米管的提纯方法，其特征在于，包括：

步骤1)：将共轭聚合物或共轭小分子、与碳纳米管原料混合在相对于碳纳米管具有强溶解性的有机溶剂中，其中所述强溶解性的有机溶剂为邻二氯苯、氯仿、1-甲基萘酚和四氢呋喃中的至少一种；

步骤2)：通过纳米粉碎分散设备在低功率的情况下进行处理，得到碳纳米管分散液；

步骤3)：将所述碳纳米管分散液进行第一次离心处理，获取上清液；

步骤4)：通过过滤或干燥所述上清液，来形成固体；

步骤5)：将所述固体溶解在低极性溶剂中，并且通过纳米粉碎分散设备在低功率的情况下进行处理，得到碳纳米管分散液，其中所述低极性溶剂为甲苯、己烷到十六烷的烷烃类溶剂中的至少一种；以及

步骤6)：进行第二次离心处理，获取得到的上清液，以获取高纯度的半导体性单壁碳纳米管溶液。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤2)中通过纳米粉碎分散设备在低功率的情况下进行处理时，所述纳米粉碎分散设备的功率设置为5W～100W。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步骤2)中，通过所述纳米粉碎分散设备进行处理所需的时间为3～60分钟。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，通过纳米粉碎分散设备进行的处理为超声或搅拌处理。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤5)中，将所述固体通过超声或搅拌方式溶解在低极性溶剂中，所述超声或搅拌方式的功率设置为5W～100W。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述步骤5)中，所述超声或搅拌方式所需的时间为3～60分钟。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次离心处理和所述第二次离心处理的离心速度为3000rpm～100000rpm；所述第一次离心处理和所述第二次离心处理的时间为0.5小时～300小时。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述固体为固体膜或粉末状的形式。