[发明专利]一种MEMS器件的晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种MEMS器件的晶圆级封装方法，其特征是，首先，在MEMS晶圆上制作MEMS器件，在承载晶圆上通过临时键合材料附着封装结构；其次，将承载晶圆上的封装结构与MEMS晶圆键合在一起，所述封装结构与MEMS晶圆一起将MEMS器件密闭包围；再次，去除该临时键合材料从而将承载晶圆与封装结构相剥离，完成对MEMS器件的封装。

2.根据权利要求1所述的MEMS器件的晶圆级封装方法，其特征是，所述承载晶圆为单晶硅或玻璃。

3.根据权利要求1所述的MEMS器件的晶圆级封装方法，其特征是，所述临时键合材料具有热敏、光敏、或易于被化学药剂腐蚀的特性，以便于在后续工艺过程中有效地将封装结构从承载晶圆上剥离下来。

4.根据权利要求1所述的MEMS器件的晶圆级封装方法，其特征是，所述封装结构为有机聚合物材料。

5.根据权利要求4所述的MEMS器件的晶圆级封装方法，其特征是，所述在承载晶圆上通过临时键合材料附着封装结构包括：在承载晶圆上先后沉积临时键合材料、第一层聚合物、第二层聚合物和粘合层；在第一层聚合物、第二层聚合物和粘合层上形成引线孔和空腔；引线孔贯穿粘合层、第二层聚合物和第一层聚合物；空腔贯穿粘合层和第二层聚合物；引线孔和空腔共同构成封装结构。

6.根据权利要求4所述的MEMS器件的晶圆级封装方法，其特征是，所述在承载晶圆上通过临时键合材料附着封装结构包括：在承载晶圆上先后沉积临时键合材料、第一层聚合物和第二层聚合物；在第一层聚合物和第二层聚合物上形成引线孔和空腔；引线孔贯穿第二层聚合物和第一层聚合物；空腔贯穿第二层聚合物；引线孔和空腔共同构成封装结构。

7.根据权利要求5或6所述的MEMS器件的晶圆级封装方法，其特征是，所述第一层聚合物、第二层聚合物为环氧树脂、聚酰亚胺、SU-8光刻胶、苯并环丁烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、帕里纶中的任意一种或多种的组合。

8.根据权利要求5或6所述的MEMS器件的晶圆级封装方法，其特征是，所述将承载晶圆上的封装结构与MEMS晶圆键合在一起包括：将MEMS器件的电极与封装结构上的引线孔对准，MEMS器件以及MEMS晶圆上的空腔与封装结构上的空腔对准；再由粘合层或第二聚合物层将承载晶圆上的封装结构与MEMS晶圆牢固连接。

9.根据权利要求8所述的MEMS器件的晶圆级封装方法，其特征是，所述封装结构与MEMS晶圆一起将MEMS器件密闭包围包括：封装结构中的空腔与MEMS晶圆上的空腔一起构成了密封MEMS器件的密闭空腔；

该密闭空腔由MEMS晶圆、粘合层、第二层聚合物、第一层聚合物共同形成；

或者，该密闭空腔由MEMS晶圆、第二层聚合物、第一层聚合物共同形成。

10.根据权利要求5或6所述的MEMS器件的晶圆级封装方法，其特征是，所述沉积工艺包括化学气相沉积、物理气相沉积、旋涂或贴合。