[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，属于显示器相关技术领域，该方法包括：在制备源漏极层和数据线时，采用半色调掩膜工艺进行曝光处理，用于使得数据线上的光刻胶保留下来；对保留的光刻胶进行加热软化，用于使得保留的光刻胶附着在数据线上。通过采用半色调掩膜工艺使得数据线上的光刻胶保留下来，对光刻胶进行加热软化使光刻胶附着在数据线上，使数据线与ITO层之间增加了一层光刻胶，降低寄生电容；通过保留光刻胶，不需要额外增加mask工艺，简化了工艺流程，改善了加工效率并且降低成本。因此，本申请能够提供一种不增加mask工艺就能降低ITO与Data线之间寄生电容的方案，改进阵列基板的生成工艺、生成效率和产品质量。

技术领域

本发明涉及显示器相关技术领域，特别是指一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)因其体积小，功耗低，无辐射等特点，占据了当前平板显示器市场的主导地位。TFT-LCD器件是由阵列玻璃基板和彩膜玻璃基板对盒形成的。在阵列基板中相对交错地设置有定义像素区域的栅极扫描线和数据线，在各像素区域中设置像素电极和薄膜晶体管。这样必然使得数据线与像素电极之间存在相对接近的位置，而Data(数据线)与ITO(像素电极)之间的寄生电容过大，会带来Crosstalk(串扰)问题或者功耗增加等各种风险；因此，为了防止发生上述现象，通常需要在ITO与Data线之间增加一层有机膜，用于减小ITO与Data线之间的寄生电容，使得ITO与Data线的相互影响减弱。但是，在现有的解决方案中，如果需要增加一层有机膜则需要相应增加一次Mask工序，对产能以及良品率有着严重的影响。

因此，在实现本申请的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：当前在解决ITO与Data线之间寄生电容的问题时，必须要增加一次mask工艺，不仅延误生产速率，而且影响产品最终的良品率。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提出一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，能够提供一种不需要增加mask工艺就能够降低ITO与Data线之间寄生电容的方法，进而改进阵列基板的生成工艺、生成效率和质量。

基于上述目的本发明提供的一种阵列基板的制作方法，包括：

在制备源漏极层和数据线时，采用半色调掩膜工艺进行曝光处理，用于使得数据线上的光刻胶保留下来；

对保留的光刻胶进行加热软化，用于使得保留的光刻胶附着在数据线上。

可选的，所述对保留的光刻胶进行加热软化时的加热温度范围为250°～350°。

可选的，所述对保留的光刻胶进行加热软化时的加热时间为5min～30min。

可选的，所述光刻胶采用有机膜材料，用于降低数据线与ITO之间的寄生电容。

可选的，所述在制备源漏极层和数据线时，通过采用半色调掩膜工艺进行曝光处理的步骤包括：

若光刻胶采用正性光刻胶材料，则半色调掩膜板的非透射区域对应数据线，部分透射区域对应数据线与ITO层的搭接处，透射区域对应需要被刻蚀的区域；

若光刻胶采用负性光刻胶材料，则半色调掩膜板的非透射区域对应需要被刻蚀的区域，部分透射区域对应数据线与ITO层的搭接处，透射区域对应数据线；

用于使得经过曝光处理后，数据线上的光刻胶保留下来。

可选的，所述采用半色调掩膜工艺进行曝光处理的步骤之后还包括：

通过灰化工艺将数据线与ITO层搭接处的光刻胶完全去除，同时将数据线上保留的光刻胶减薄；

对减薄的光刻胶进行加热软化。