[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201711160298.2 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107946367B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 李栋;詹裕程 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制作方法 | ||
1.一种薄膜晶体管的制作方法，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成多晶硅构成的有源层；其特征在于，还包括：
在所述有源层上形成具有预设本征张应力的第一栅绝缘层，使得所述有源层中多晶硅的晶格尺寸发生变化，以提高所述薄膜晶体管的载流子迁移率；
在所述第一栅绝缘层上形成具有预设本征压应力的第二栅绝缘层，以缓和所述第一栅绝缘层对后续膜层的影响。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述有源层上形成具有预设本征张应力的第一栅绝缘层，具体包括：
采用等离子体增强化学气相沉积法，在温度为390℃～450℃、功率为1200W～1800W、硅烷/一氧化二氮的流量比为0.5～2的条件下，在所述有源层上形成本征张应力为500MPa～800MPa的所述第一栅绝缘层。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述有源层上形成具有预设本征张应力的第一栅绝缘层，具体包括：
采用物理气相沉积法，在温度为200℃～400℃、真空度为5*10-4Pa～5*10-3Pa的条件下，在所述有源层上形成本征张应力为500MPa～800MPa的所述第一栅绝缘层。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一栅绝缘层的厚度为
5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一栅绝缘层的材料为二氧化铪、二氧化硅、氮化硅之一或组合。
6.如权利要求1-5任一项所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一栅绝缘层上形成具有预设本征压应力的第二栅绝缘层，具体包括：
采用等离子体增强化学气相沉积法，在温度为250℃～350℃、功率为1200W～1800W、硅烷/氨气的流量比为0.1～3的条件下，在所述第一栅绝缘层上形成本征压应力为-100MPa～-400MPa的所述第二栅绝缘层。
7.如权利要求1-5任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第二栅绝缘层的厚度为
8.如权利要求1-5任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第二栅绝缘层的材料为二氧化铪、二氧化硅、氮化硅之一或组合。
9.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用如权利要求1-8任一项所述的制作方法制得。
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