[发明专利]一种具有MRI模式的植入式医疗器械

说明书

技术领域

本发明涉及医疗器械相关技术领域，尤其，涉及一种植入式医疗器械（Implantable Medical Device, IMD）。

背景技术

植入式医疗器械种类很多，如心脏起搏器和除颤器、植入式神经刺激器、植入式肌肉刺激器等。植入式医疗器械一般包含体内植入装置和体外控制装置，两者之间通过双向无线通讯交换信息。

在现有的技术中，植入式医疗器械一般利用电池供电，通过脉冲发生电路发出特定频率的刺激脉冲，对特定的靶点进行刺激，从而改善患者的症状。所述脉冲发生电路通常包括一DC-DC电压变换电路。然而，在强磁场环境下，例如磁共振成像（MRI）环境下，该DC-DC电压变化电路中的磁芯电感由于磁芯饱和而导致电感量下降，这会影响脉冲发生电路发出的刺激脉冲，从而影响对患者的治疗效果以及带来安全隐患。

发明内容

本发明提供一种可以自动监测强磁场环境的植入式医疗器械的工作方法以及采用该方法的植入式医疗器械。

一种具有MRI模式的植入式医疗器械的工作方法，该植入式医疗器械包括一体内植入装置和一外设控制器，且该体内植入装置包括一对外部强磁场敏感的电路元件；该植入式医疗器械的工作方法包括控制该体内植入装置的方法；其中，该控制该体内植入装置的方法包括以下步骤：

步骤S11，检测外部磁场并判断外部磁场的磁感强度是否超过第一阈值，如果是，进入步骤S12，如果否，继续重复步骤S11；

步骤S12，记录检测到外部强磁场的时间和体内植入装置的状态，标记处于强磁场环境，并进入步骤S13；

步骤S13，切换为MRI模式，标记MRI模式切换事件，并进入步骤S14；

步骤S14，判断外部磁场的磁感强度是否降低到第二阈值以下，如果是，则进入步骤步骤S15，如果否，则重复步骤S14；

步骤S15，记录外部强磁场消失的时间和体内植入装置的状态，标记离开强磁场环境，并进入步骤S16；以及

步骤S16，切换为正常模式，标记MRI模式切换事件，并返回步骤S11。

根据上述植入式医疗器械的工作方法，其中，所述控制体内植入装置的方法进一步包括以下步骤：

步骤S17，判断是否接收到外设控制器的询问指令，如果是，进入步骤S18，如果否，继续重复步骤S17；

步骤S18，判断是否有MRI模式切换事件，如果是，进入步骤S19，如果否，则进入步骤S22；

步骤S19，向外设控制器发送MRI模式切换事件相关信息，然后进入步骤S20；

步骤S20，等待外设控制器的应答，并进入步骤S21；

步骤S21，重置MRI模式切换事件标记，并进入步骤S22；以及

步骤S22，结束。

根据上述植入式医疗器械的工作方法，其中，该植入式医疗器械的工作方法还包括控制该外设控制器的方法；该控制外设控制器的方法包括以下步骤：

步骤S23，向体内植入装置发送询问指令，并进入步骤S24；

步骤S24，判断是否接收到MRI模式切换事件提示，如果是，进入步骤S25，如果否，进入步骤S29；

步骤S25，接收MRI模式切换事件相关信息，然后进入步骤S26；

步骤S26，显示MRI模式切换事件提示警告，然后进入步骤S27；

步骤S27，等待用户查看，并进入步骤S28；

步骤S28，向体内植入装置发送应答，并进入步骤S29；以及

步骤S29，结束。

一种具有MRI模式的植入式医疗器械的工作方法，该植入式医疗器械包括一体内植入装置和一外设控制器，且该体内植入装置包括一对外部强磁场敏感的电路元件；该植入式医疗器械的工作方法包括控制该体内植入装置的方法；其中，该控制该体内植入装置的方法包括以下步骤：

步骤S10，判断是否接收到外设控制器的监测指令，如果是，进入步骤S11，如果否，继续重复步骤S10；

步骤S11，开始检测外部磁场并判断外部磁场的磁感强度是否超过第一阈值，如果是，进入步骤S12，如果否，继续重复步骤S11；

步骤S12，记录检测到外部强磁场的时间和体内植入装置的状态，标记处于强磁场环境，并进入步骤S13；

步骤S13，切换为MRI模式，标记MRI模式切换事件，并进入步骤S14；

步骤S14，判断外部磁场的磁感强度是否降低到第二阈值以下，如果是，则进入步骤步骤S15，如果否，则重复步骤S14；