[发明专利]串联量子点发光器件、面板即显示器在审
申请号: | 201711157143.3 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN107958961A | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | 肖娅丹 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫,熊永强 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 串联 量子 发光 器件 面板 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及显示器领域,尤其涉及一种串联的量子点发光器件。
背景技术
有机电致发光二极管(OLED)由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点,其潜在的市场前景被业界看好,已经被公认为是第三代显示技术的代表。而量子点发光二极管(QLED)由于其光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调等优点,近年来成了OLED的有力竞争者。在平板显示领域,OLED和QLED是未来高端显示技术研究的热点。
具体而言,量子点发光材料具有出射光颜色饱和、波长可调、极窄半峰宽、电致发光效率很高且可以溶液制程、可用于柔性器件等优点,被认为是下一代显示技术的有力竞争者。然而虽然近年来量子点发光二极管发展速度迅猛,但是离日趋成熟可用于量产的OLED技术在效率和寿命上仍有极大差异。如何有效提高QLED器件的发光效率成为目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于使QLED器件拥有极高的色彩饱和度的同时也拥有极高的发光效率,因而提供一种杂化串联的QLED器件结构,具体包括如下技术方案:
一种串联量子点发光器件,各组件均为层叠设置,包括第一电极和第二电极;设置于所述第一电极和第二电极之间的第一发光单元和第二发光单元;设置于第一发光单元和第二发光单元之间的电荷生成层;所述第一发光单元包含量子点发光层,所述第二发光单元包含有机发光层。
其中,所述第一电极用于提供阳极,所述第二电极用于提供阴极。
其中,所述第一发光单元位于所述第一电极一侧。
其中,所述电荷生成层包括N型电荷生成层和P型电荷生成层。
其中,所述N型电荷生成层和所述P型电荷生成层由不同的材料形成。
其中,所述N型电荷生成层位于所述第一电极一侧。
其中,在靠近所述第一电极一侧,所述第一发光单元还依次包括空穴注入层、空穴传输层和电子传输层,所述量子点发光层位于所述空穴传输层和所述电子传输层之间。
其中,在靠近所述第二电极一侧,所述第二发光单元还依次包括电子注入层、电子传输层和空穴传输层,所述有机发光层位于所述电子传输层和所述空穴传输层之间。
其中,所述N型电荷产生层的材料为ZnO、TiO或BPhen:Cs2CO3中的一种;所述P型电荷产生层的材料为中性PEDOT、MoOx、WOx、C60或HATCN中的一种。
本发明还涉及一种显示面板,包含上述串联量子点发光器件。
本发明也同时涉及一种显示器,采用了上述显示面板。
本发明串联量子点发光器件,利用层叠的P型电荷生成层和N型电荷生成层,通过一对电极将QLED器件结构与OLED器件结构串联起来,将两种二极管发光器件相结合,互相取长补短,形成一个串联的具有窄半峰宽、高色彩饱和度、高出光效率的发光器件。
附图说明
图1是本发明串联量子点发光器件的示意图;
图2是本发明串联量子点发光器件的能带示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1的串联量子点发光器件100,在TFT基板10上,依次层叠设置第一电极20、第一发光单元30、电荷生成层40、第二发光单元50和第二电极60。即所述第一发光单元30、所述电荷生成层40和所述第二发光单元50设置于所述第一电极20和所述第二电极60之间,同时所述电荷生成层40设置于所述第一发光单元30和所述第二发光单元50之间。所述第一发光单元30内含量子点发光层33,所述第二发光单元50包含有机发光层53。
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