[发明专利]位线预置电路、读操作电路、SRAM和方法

权利要求书

1.一种用于SRAM的位线预置电路，其特征在于，所述位线预置电路与存储阵列连接，所述存储阵列包括多列存储单元；

所述位线预置电路包括：

多组位线对，每组位线对与每列存储单元相对应，每组位线对包括：分别连接相对应的同一列存储单元的一条位线和一条互补位线；

其中，在读操作前，所述多组位线对中的一部分位线对被预充电至电源电压VDD，所述多组位线对中的其他部分位线对被预充电至公共接地端电压VSS；

在所述多组位线对中的一部分位线对被预充电至电源电压VDD的情况中，该部分位线对的每组位线对中的位线和互补位线均被预充电至电源电压VDD；

在所述多组位线对中的其他部分位线对被预充电至公共接地端电压VSS的情况中，该其他部分位线对的每组位线对中的位线和互补位线均被预充电至公共接地端电压VSS。

2.根据权利要求1所述的位线预置电路，其特征在于，

在读操作前，所述多组位线对中的一半组数的位线对被预充电至电源电压VDD，所述多组位线对中的另一半组数的位线对被预充电至公共接地端电压VSS。

3.根据权利要求1所述的位线预置电路，其特征在于，还包括：

多个第一开关晶体管和多个第二开关晶体管；

其中，每个所述第一开关晶体管被耦接在电源电压端与需要被预充电至电源电压的位线对中的位线或互补位线之间；每个所述第二开关晶体管被耦接在公共接地端与需要被预充电至公共接地端电压的位线对中的位线或互补位线之间。

4.根据权利要求3所述的位线预置电路，其特征在于，还包括：

第一预充电信号线，用于向所述多个第一开关晶体管提供第一预充电信号；其中，所述第一开关晶体管响应于所述第一预充电信号而导通，使得所述多组位线对中的所述一部分位线对被预充电至电源电压；以及

第二预充电信号线，用于向所述多个第二开关晶体管提供第二预充电信号；其中，所述第二开关晶体管响应于所述第二预充电信号而导通，使得所述多组位线对中的所述其他部分位线对被预充电至公共接地端电压。

5.根据权利要求4所述的位线预置电路，其特征在于，

所述第一开关晶体管为P型沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管，所述第二开关晶体管为N型沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管；

其中，所述第一开关晶体管的源极连接至所述电源电压端，所述第一开关晶体管的漏极连接至需要被预充电至电源电压的位线对中的位线或互补位线，所述第一开关晶体管的栅极连接至所述第一预充电信号线；

所述第二开关晶体管的源极连接至所述公共接地端，所述第二开关晶体管的漏极连接至需要被预充电至公共接地端电压的位线对中的位线或互补位线，所述第二开关晶体管的栅极连接至所述第二预充电信号线。

6.根据权利要求4所述的位线预置电路，其特征在于，还包括：多路选择器；

所述多路选择器包括：

多对位线连接端口，其中，每对位线连接端口包括：连接对应的一组位线对中的位线的第一连接端口和连接该组位线对中的互补位线的第二连接端口；

多个选择信号输入端口，其中，每个选择信号输入端口用于接收一个对应所需选择的一组位线对的选择信号；

使能信号端口，用于接收电荷分享使能信号。

7.根据权利要求6所述的位线预置电路，其特征在于，所述多路选择器还包括：

选择单元和与所述选择单元连接的多组PMOS晶体管；

其中，所述选择单元设置有所述使能信号端口；

在所述多组PMOS晶体管中，每组PMOS晶体管包括与一组位线对相对应的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管；其中，所述第一PMOS晶体管的源极连接至所述第一连接端口，所述第二PMOS晶体管的源极连接至所述第二连接端口，所述第一PMOS晶体管的漏极和所述第二PMOS晶体管的漏极分别与所述选择单元连接，所述第一PMOS晶体管的栅极和所述第二PMOS晶体管的栅极一起连接至同一个选择信号输入端口。