[发明专利]一种单平面研抛加工方法在审
申请号: | 201711154448.9 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN108015666A | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
发明(设计)人: | 袁巨龙;陈芝向 | 申请(专利权)人: | 杭州智谷精工有限公司 |
主分类号: | B24B37/04 | 分类号: | B24B37/04;B24B37/10;B24B37/30 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 陈振华 |
地址: | 311121 浙江省杭州市余杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 平面 加工 方法 | ||
1.一种单平面研抛加工方法,其特征在于:它是利用单面研磨/抛光设备对薄片工件进行研磨/抛光加工的方法;该方法将薄片工件通过液体膜吸附在基板上,并利用固定在基板平面上的限位片限制薄片工件在研磨/抛光过程中沿基板平面滑动;所述限位片上具有槽孔,所述薄片工件置于所述槽孔内;所述限位片与所述基板平面的高度差不大于所述薄片工件与所述基板平面的高度差。
2.根据权利要求1所述的单平面研抛加工方法,其特征在于:所述限位片通过粘结剂与所述基板结合。
3.根据权利要求1所述的单平面研抛加工方法,其特征在于:所述基板的材质为轴承钢和陶瓷材料。
4.根据权利要求1所述的单平面研抛加工方法,其特征在于:所述限位片材料为环氧玻璃纤维板、不饱和聚酯玻纤板或陶瓷板。
5.根据权利要求1所述的单平面研抛加工方法,其特征在于:所述液体膜由不可固化的液体构成。
6.根据权利要求1所述的单平面研抛加工方法,其特征在于:所述基板与所述薄片工件配合处的形状精度不低于所述薄片工件的形状精度要求。
7.根据权利要求1所述的单平面研抛加工方法,其特征在于:所述薄片工件的厚度小于2mm。
8.根据权利要求1至7任一权利要求所述的单平面研抛加工方法,其特征在于:所述薄片工件为平面工件;所述限位片的厚度为所述平面工件厚度的65~85%;所述限位片与所述平面工件的最大间隙为0.1~0.3mm。
9.根据权利要求1至7任一权利要求所述的单平面研抛加工方法,其特征在于:所述薄片工件为非球面工件;所述基板上具有与所述非球面工件的非球面相适配的非球面凹陷;所述非球面工件通过液体膜吸附在所述基板的非球面凹陷处。
10.根据权利要求9所述的单平面研抛加工方法,其特征在于:所述限位片与所述基板表面的高度差为所述非球面工件与所述基板表面的高度差的60~90%;所述限位片与所述非球面工件的最大间隙为0.2~0.4mm。
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