[发明专利]一种太赫兹波段介质材料、制备方法及制成电介质的方法

权利要求书

1. 一种太赫兹波段介质材料，其特征在于：该介质材料的化学配比通式为[(Mg_1-xAl_2/3x)_1/3Nb_2/3]O₂ + y wt% ABSMV；其中0≤x≤0.3，y=1或2。

2.如权利要求1所述的太赫兹波段介质材料的制备方法，其特征在于，按下述步骤制备：

a、将原料Al₂O₃、MgCO₃和Nb₂O₅按化学配比通式[(Mg_1-xAl_2/3x)_1/3Nb_2/3]O₂配料混合，其中0≤x≤0.3，得A品；

b、将A品、磨球和水按照体积比1：1：1混匀后球磨3~5小时，得B品；

c、将B品烘干，并过40~80目筛，得C品；

d、将C品在空气中以1200±5^oC预烧2~6小时，得D品；

e、将Al₂O₃ 、B₂O₃、SiO₂、MgO及V₂O₅按重量比2：7：8：1：2混合，得E品；

f、将E品与水混匀，之后球磨3~5小时，得F品；

g、将F品烘干，之后加热至大于1250^oC，并在空气中淬火得ABSMV玻璃，将ABSMV玻璃粉碎，得G品；

h、将D品和G品按化学配比通式[(Mg_1-xAl_2/3x)_1/3Nb_2/3]O₂ + y wt% ABSMV配料混合，其中y=1或2，得H品；

i、将H品、磨球和水按照体积比1：1：1混匀后，再加入0.5~2wt%的表面活性剂球磨3~5小时，将球磨产物烘干即得。

3.根据权利要求2所述的太赫兹波段介质材料的制备方法，其特征在于，步骤a中，所述的x=0.2。

4.根据权利要求2所述的太赫兹波段介质材料的制备方法，其特征在于，步骤e中，所述的MgO，是由MgCO₃引入的MgO。

5.根据权利要求2所述的太赫兹波段介质材料的制备方法，其特征在于，步骤b、f和i中，所述的水为去离子水。

6.根据权利要求2所述的太赫兹波段介质材料的制备方法，其特征在于，步骤i中，所述的表面活性剂是十八烷酸。

7.根据权利要求1所述的太赫兹波段介质材料制备电介质的方法，其特征在于：按下述步骤制备：

a、向介质材料加入3~5wt%PVA混匀，混匀后过40~80目筛，得A品；

b、将A品在150MPa下压制成片状，得B品；

c、将B品在1100～1250^oC的空气中烧结1～8小时，即得。