[发明专利]电压电源在审
| 申请号： | 201711153739.6 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107994767A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张宁;钱翼飞 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压 电源 | ||
1.一种电压电源，其特征在于，包括一个电荷泵、一个低压差线性稳压器；
所述电荷泵的输出接所述低压差线性稳压器的输入；
所述低压差线性稳压器的输出作为电压电源的输出；
所述电荷泵的输出电压大于4V；
所述低压差线性稳压器的压降电压小于2.1V。
2.根据权利要求1所述的电压电源，其特征在于，
所述电荷泵为开关式调整器升压泵、无调整电容式电荷泵或可调整电容式电荷泵。
3.根据权利要求1所述的电压电源，其特征在于，
所述电荷泵的输出通过一个电容接地。
4.根据权利要求3所述的电压电源，其特征在于，
所述电容采用钽电容或片式多层陶瓷电容器。
5.根据权利要求1所述的电压电源，其特征在于，
所述低压差线性稳压器中的调整管使用功率晶体管。
6.根据权利要求5所述的电压电源，其特征在于，
所述低压差线性稳压器中的调整管使用PNP功率晶体管。
7.根据权利要求1所述的电压电源，其特征在于，
所述低压差线性稳压器中的调整管使用MOS功率管。
8.根据权利要求7所述的电压电源，其特征在于，
所述低压差线性稳压器中的调整管使用P沟道MOSFET。
9.根据权利要求1所述的电压电源，其特征在于，
所述低压差线性稳压器包括调整管、比较放大器、第一电阻、第二电阻；
所述调整管为三极管或MOS管；
所述第一电阻、第二电阻串接在电压电源的输出同地之间；
所述比较放大器的同相输入端接基准电压,反相输入端接第一电阻同第二电阻的串接端；
所述比较放大器的输出接所述调整管的控制端；
所述调整管的另外两端分别接所述电荷泵的输出及电压电源的输出。
10.根据权利要求9所述的电压电源，其特征在于，
所述基准电压是通过对所述电荷泵的输出电压变换得到。
11.根据权利要求9所述的电压电源，其特征在于，
所述低压差线性稳压器中还包括一个二极管；
所述二极管的负端接所述比较放大器的同相输入端，正端接地。
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