[发明专利]OLED显示器及其制作方法在审
申请号: | 201711148913.8 | 申请日: | 2017-11-17 |
公开(公告)号: | CN107731883A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 方俊雄;吴元均 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂,闻盼盼 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示器 及其 制作方法 | ||
1.一种OLED显示器的制作方法,其特征在于,包括:制作OLED基板(80)的步骤及对OLED基板(80)进行封装的步骤,其中,制作OLED基板(80)的步骤包括:提供衬底基板(10),在所述衬底基板(10)上形成呈阵列排布的数个阳极(21),在所述衬底基板(10)与数个阳极(21)上形成像素定义层(30),在所述像素定义层(30)上形成分别对应于数个阳极(21)上方的数个第一开口(31),分别在所述数个阳极(21)上形成数个OLED发光层(40),在所述数个OLED发光层(40)及像素定义层(30)上形成阴极(50),在所述阴极(50)的上方或者下方制作与所述阴极(50)相连的辅助阴极(22);其中,所述数个OLED发光层(40)不相连;所述辅助阴极(22)对应于数个阳极(21)的间隔区域设置。
2.如权利要求1所述的OLED显示器的制作方法,其特征在于,具体包括如下步骤:
步骤1、提供衬底基板(10),在所述衬底基板(10)上形成呈阵列排布的数个阳极(21),在所述衬底基板(10)与数个阳极(21)上形成像素定义层(30),在所述像素定义层(30)上形成分别对应于数个阳极(21)上方的数个第一开口(31);
步骤2、在所述像素定义层(30)上对应于数个第一开口(31)的间隔区域形成倒梯形光刻胶(60);
步骤3、在所述倒梯形光刻胶(60)、像素定义层(30)及数个阳极(21)上制备OLED发光薄膜(41);
步骤4、剥离所述倒梯形光刻胶(60),位于所述倒梯形光刻胶(60)上方的OLED发光薄膜(41)随之去除,得到数个不相连的OLED发光层(40);
步骤5、在所述数个OLED发光层(40)及像素定义层(30)上形成整面分布的阴极(50);
步骤6、在所述阴极(50)上制作对应于数个第一开口(31)的间隔区域的辅助阴极(22),制得OLED基板(80);
步骤7、对所述OLED基板(80)进行封装后,得到OLED显示器(200)。
3.如权利要求1所述的OLED显示器的制作方法,其特征在于,具体包括如下步骤:
步骤1、提供衬底基板(10),在所述衬底基板(10)上形成呈阵列排布的数个阳极(21),在所述衬底基板(10)与数个阳极(21)上形成像素定义层(30),在所述像素定义层(30)上形成分别对应于数个阳极(21)上方的数个第一开口(31)以及位于数个第一开口(31)的间隔区域内的第二开口(32);
步骤2、在所述第二开口(32)底部的衬底基板(10)上形成倒梯形光刻胶(60);
步骤3、在所述倒梯形光刻胶(60)、像素定义层(30)及数个阳极(21)上制备OLED发光薄膜(41);
步骤4、剥离所述倒梯形光刻胶(60),位于所述倒梯形光刻胶(60)上方的OLED发光薄膜(41)随之去除,得到数个不相连的OLED发光层(40);
步骤5、在所述数个OLED发光层(40)及衬底基板(10)上形成整面分布的阴极(50);
步骤6、在所述阴极(50)上制作对应于第二开口(32)的辅助阴极(22),制得OLED基板(80);
步骤7、对所述OLED基板(80)进行封装后,得到OLED显示器(200)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的