[发明专利]一种电场探头校准方法和装置有效
申请号: | 201711148056.1 | 申请日: | 2017-11-17 |
公开(公告)号: | CN108020802B | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 刘星汛;齐万泉;彭博;黄承祖;董佳;马蔚宇;闫旭红 | 申请(专利权)人: | 北京无线电计量测试研究所 |
主分类号: | G01R35/00 | 分类号: | G01R35/00 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 许志勇 |
地址: | 100854 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电场 探头 校准 方法 装置 | ||
1.一种电场探头校准方法,其特征在于,包括以下步骤:
在同心锥TEM室的馈电处注入输入信号,产生校准电场;
根据被校准场探头或校准电场传感器的频率范围确定校准点;
根据所述校准点的频率,在校准电场的场均匀区域内放入标准场探头,调节所述校准电场的输入信号电平,通过功率计得到所述标准场探头的前向输入功率、反向输入功率,并采用TEM室标准场法计算得到标准场强,所述标准场强在所述被校准场探头的正常工作范围内;
所述采用TEM室标准场法计算得到标准场强为:,其中,E为所述标准场强,Cf为前向输入功率耦合因子,Cr为反向输入功率耦合因子,P1为所述前向输入功率,P2为所述反向输入功率,Rc为所述同心锥TEM室的特性阻抗,d1为所述标准场探头处所述同心锥TEM室底板的高度;
将所述标准场探头取出,在相同位置放入所述被校准场探头,记录所述被校准场探头的场强指示值;
根据所述标准场强、所述被校准场探头的场强指示值,计算得到所述被校准场探头的在所述校准点的频率响应偏差和频率响应修正因子分别为:
其中,为所述被校准场探头的频率响应偏差,AF为所述被校准场探头的频率响应修正因子,Es为所述被校准场探头的场强指示值,E为所述标准场强。
2.如权利要求1所述的电场探头校准方法,其特征在于,所述同心锥TEM室产生的所述校准电场的频率范围为200MHz~40GHz。
3.如权利要求1所述的电场探头校准方法,其特征在于,所述根据被校准场探头或校准电场传感器的频率范围确定校准点的步骤,进一步包含:
将所述被校准场探头或校准电场传感器的频率范围的最低频率和最高频率确定为最小校准点、最大校准点;
在所述最低频率和所述最高频率之间,每十倍频程范围至少选择三个频率值作为校准点。
4.如权利要求1所述的电场探头校准方法,其特征在于,在所述根据被校准场探头或校准电场传感器的频率范围确定校准点的步骤之后,所述方法还包括:
对所述功率计进行自校准;
分别对标准场探头、被校准场探头进行预热。
5.如权利要求1所述的电场探头校准方法,其特征在于,所述方法还包括:
根据所述校准点的频率值,在频率范围10kHz~200MHz之间,采用TEM小室法对所述被校准场探头进行校准。
6.如权利要求1所述的电场探头校准方法,其特征在于,所述标准场强的大小为20V/m。
7.一种电场探头校准装置,用于权利要求1~6任意一项所述方法,其特征在于,包含:同心锥TEM室、信号源、功率计、定向耦合器、被校准场探头;
所述信号源用于产生校准点频率值的输入信号;
所述定向耦合器用于接收所述输入信号并传递给所述同心锥TEM室;
所述同心锥TEM室用于根据所述输入信号电平,产生校准电场;
所述被校准场探头位于所述校准电场的场均匀区域内;
所述功率计用于测量所述定向耦合器输出的前向功率、反向功率。
8.如权利要求7所述的电场探头校准装置,其特征在于,所述装置还包含放大器,所述放大器用于将所述信号源输出的信号放大后输出给所述定向耦合器。
9.如权利要求7所述的电场探头校准装置,其特征在于,所述装置还包含场强指示器,用于测量所述被校准场探头的场强指示值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京无线电计量测试研究所,未经北京无线电计量测试研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711148056.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。