[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管有源层；

在所述半导体衬底的表面形成牺牲层；

刻蚀所述牺牲层以及所述半导体衬底，以形成深沟槽，所述深沟槽至少贯穿所述光电二极管有源层的一部分；

形成深槽隔离层，所述深槽隔离层覆盖所述深沟槽的内壁；

向所述深沟槽内填充金属，以形成金属格栅。

2.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：

去除所述牺牲层；

形成格栅保护层，所述格栅保护层覆盖所述金属格栅、所述深槽隔离层以及所述半导体衬底；

在相邻的金属格栅之间设置滤镜。

3.根据权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述去除所述牺牲层包括：

平坦化所述牺牲层、所述深槽隔离层以及所述金属格栅；

去除平坦化后的所述牺牲层。

4.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述形成深槽隔离层包括：

采用原子层沉积工艺形成所述深槽隔离层。

5.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底的表面形成牺牲层之前，还包括：

形成衬底保护层；

其中，所述牺牲层堆叠于所述衬底保护层。

6.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，

所述牺牲层的材料包括多晶硅。

7.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，向所述深沟槽内填充金属之前，还包括：

形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述深槽隔离层的表面。

8.根据权利要求7所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，

所述阻挡层的材料包括氮化钛，其中，所述氮化钛是采用TiCl₄形成的。

9.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，向所述深沟槽内填充金属包括：

采用化学气相沉积工艺，向所述深沟槽内填充钨。

10.一种图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管有源层；

牺牲层，位于所述半导体衬底的表面；

深沟槽，位于所述牺牲层和所述半导体衬底内，所述深沟槽至少贯穿所述光电二极管有源层的一部分；

深槽隔离层，所述深槽隔离层覆盖所述深沟槽的内壁；

金属格栅，所述金属格栅填充于所述深沟槽内。