[发明专利]一体化氢气传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种一体化氢气传感器，包括氢敏薄膜芯片（1）、恒温控制电路（2）和信号处理电路（3），其特征在于，所述氢敏薄膜芯片（1）、恒温控制电路（2）和信号处理电路（3）集成在同一基片（5）上；所述氢敏薄膜芯片（1）布置在所述基片（5）的中部，所述恒温控制电路（2）和信号处理电路（3）分别位于所述氢敏薄膜芯片（1）的两侧。

2.根据权利要求1所述的一体化氢气传感器，其特征在于，所述基片（5）为Al₂O₃陶瓷基片。

3.一种基于如权利要求1至2中任意一项所述的一体化氢气传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S01、在基片（5）上烧印连线、隔离层、电阻及焊盘；

S02、将恒温控制电路（2）、信号处理电路（3）中的半导体芯片和氢敏薄膜芯片（1）粘贴在基片（5）预留位置，并进行烘胶处理；

S03、将芯片焊盘和基片（5）焊盘对应位置进行焊接引线，实现电气连接；

S04、将恒温控制电路（2）、信号处理电路（3）中的电容焊接在指定的位置上；

S05、调试，调整各电阻和电容的参数；

S06、进行性能测试，在性能测试通过后，在氢敏薄膜芯片（1）处粘贴导气管（4）。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在步骤S01中，在电阻表面烧印一层保护膜。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在步骤S03中，采用硅铝丝绑定工艺将芯片焊盘和基片（5）焊盘对应位置进行焊接引线。

6.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在步骤S04中，采用人工或者自动贴片的方式将电容焊接在指定的位置上。

7.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在步骤S05中，通过激光束调整电阻的阻值。

8.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在步骤S06中，性能测试包括精度、重复性、稳定性和绝缘强度性能测试。

9.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在步骤S06中，在基片（5）上各电路元器件上粘贴保护壳。