[发明专利]一种聚合物材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种聚合物材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供颗粒，所述颗粒包括量子点和包覆于所述量子点表面的水氧阻隔材料；

采用烷氧基硅烷偶联剂对所述颗粒表面进行表面修饰，得到表面烷氧基硅烷偶联剂修饰的颗粒，其中烷氧基硅烷偶联剂的非烷氧基碳链末端的取代基团为含有碳碳双键的取代基、巯基取代基或胺基取代基；

将所述表面烷氧基硅烷偶联剂修饰的颗粒、引发剂和含乙烯基的单体混合，使所述含乙烯基的单体与颗粒表面的烷氧基硅烷偶联剂结合并使所述含乙烯基的单体之间发生聚合反应，制备得到所述聚合物材料。

2.根据权利要求1所述的聚合物材料的制备方法，其特征在于，所述水氧阻隔层材料选自二氧化硅、二氧化钛、氧化铝和碳化硅中的一种。

3.根据权利要求1所述的聚合物材料的制备方法，其特征在于，所述烷氧基硅烷偶联剂选自γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三乙氧基硅烷、γ-胺基丙基三甲氧基硅烷和γ-胺基丙基三乙氧基硅烷中的一种。

4.根据权利要求1所述的聚合物材料的制备方法，其特征在于，所述采用烷氧基硅烷偶联剂对所述量子点表面进行表面修饰具体包括：

将所述颗粒、去离子水及烷氧基硅烷偶联剂分散到有机溶剂中得到混合液，在酸性条件下和惰性气体气氛中，加热反应后干燥即得到烷氧基硅烷偶联剂修饰的颗粒。

5.根据权利要求4所述的聚合物材料的制备方法，其特征在于，按去离子水、所述颗粒、所述烷氧基硅烷偶联剂与有机溶剂的质量比为1-20:1-20:1-20:5-20，将所述颗粒、去离子水及烷氧基硅烷偶联剂分散到有机溶剂中得到混合液。

6.根据权利要求1所述的聚合物材料的制备方法，其特征在于，将所述表面烷氧基硅烷偶联剂修饰的颗粒、引发剂和含乙烯基的单体混合的步骤中，所述含乙烯基的单体为单乙烯基单体。

7.根据权利要求6所述的聚合物材料的制备方法，其特征在于，按烷偶联剂修饰的颗粒、单乙烯基单体和引发剂的质量比为(0.01~0.5):1:(0.05~0.1), 将所述表面烷氧基硅烷偶联剂修饰的颗粒、引发剂和含乙烯基的单体混合。

8.根据权利要求1所述的聚合物材料的制备方法，其特征在于，将所述表面烷氧基硅烷偶联剂修饰的颗粒、引发剂和含乙烯基的单体混合的步骤中，所述含乙烯基的单体包括单乙烯基单体和多乙烯基交联单体。

9.根据权利要求8所述的聚合物材料的制备方法，其特征在于，按烷偶联剂修饰的颗粒、乙烯基单体、多乙烯基交联单体和引发剂的质量比为(0.01~0.5):1:(0.05~0.1):(0.005~0.01)，将烷氧基硅烷偶联剂修饰的颗粒、乙烯基单体、多乙烯基交联单体和引发剂混合。

10.根据权利要求1所述的聚合物材料的制备方法，其特征在于，将所述表面烷氧基硅烷偶联剂修饰的颗粒、引发剂和含乙烯基的单体混合，在无氧条件下加热反应，使所述含乙烯基的单体与颗粒表面的烷氧基硅烷偶联剂结合并使所述含乙烯基的单体之间发生聚合反应，制备得到所述聚合物，加热反应温度为60℃-100℃，反应时间为3-10小时。

11.根据权利要求1所述的聚合物材料的制备方法，其特征在于，将所述表面烷氧基硅烷偶联剂修饰的颗粒、引发剂和含乙烯基的单体混合，在无氧条件下加热反应，使所述含乙烯基的单体与颗粒表面的烷氧基硅烷偶联剂结合并使所述含乙烯基的单体之间发生聚合反应，制备得到所述聚合物，加热反应分两段进行，第一段加热反应的温度为60℃-80℃，反应时间为1.5-5小时；第二段加热反应的温度为80℃-100℃，反应时间为1.5-5小时。