[发明专利]一种可见‑红外超宽带反射薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种可见-红外超宽带反射薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

S1：抛光后的Si基板用去离子水加洗涤剂擦洗并用去离子水冲洗干净,然后在醋酸溶液侵泡15分钟，取出后再次用去离子水冲洗；在用乙醇乙醚混合液擦拭；

S2：在Si基板上镀制反射可见-红外波段的介质-金属结构光学薄膜；

S3：镀膜本底真空抽至8×10^-4以下，过渡层薄膜温度为120摄氏度，金属层采用冷镀方式，介质薄膜层采用高温镀膜；

S4：镀膜工艺采用的过渡层才采用电子束蒸发，离子束辅助方式；金属膜层采用电阻蒸发方式；介质膜层采用电子束蒸发，离子束辅助方式。

2.根据权利要求1所述的一种可见-红外超宽带反射薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中醋酸溶液浓度为5％，侵泡时间为15分钟，乙醇乙醚混合液为1.5:1的比例。

3.根据权利要求1所述的一种可见-红外超宽带反射薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中的介质-金属反射薄膜结构为S/CD^6/Air，S为基板Si，C为Al₂O₃过渡层，D为Ag膜层，H与L为Ta₂O₅、SiO₂介质膜。

4.根据权利要求1所述的一种可见-红外超宽带反射薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中过渡层镀制加热温度为120摄氏度，金属层Ag温度控制在40摄氏度，后续介质膜层温度为195摄氏度。

5.根据权利要求1所述的一种可见-红外超宽带反射薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中Al₂O₃过渡层采用电子束蒸发、离子束辅助工艺，沉积速率为3A/s，离子源的离子束流300mA，加速电压240V，电子束流350Ma；金属膜层Ag采用电阻加热方式，速率控制为22A/s；介质Ta2O5蒸发速率为3.5A/S，离子源的离子束流310mA，加速电压250V，电子束流350mA；SiO2蒸发速率为5.2A/S，离子源的离子束流220mA，加速电压200V，电子束流270mA。