[发明专利]钛酸钡/氮化硼/聚酰亚胺三元复合薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201711145010.4 申请日: 2017-11-17
公开(公告)号: CN108059725A 公开(公告)日: 2018-05-22
发明(设计)人: 张淑芬 申请(专利权)人: 陕西启源科技发展有限责任公司
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;C08L79/08;C08K7/00;C08K3/24;C08K3/38;C08G73/10
代理公司: 西安亿诺专利代理有限公司 61220 代理人: 张建
地址: 710065 陕西省西安市高新区沣*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 钛酸钡 氮化 聚酰亚胺 三元 复合 薄膜 制备 方法
【说明书】:

发明钛酸钡/氮化硼/聚酰亚胺三元复合薄膜的制备方法涉及复合薄膜制备领域,具体涉及钛酸钡/氮化硼/聚酰亚胺三元复合薄膜的制备方法,包括以下步骤:氮化硼纳米片的制备,在、N‑甲基吡咯烷溶液中通过超声剥离可以得到氮化硼纳米片,在干燥的烧杯中加入150mL的N‑甲基吡咯烷溶液,搅拌加入2g的氮化硼粉末,混合均匀后放入高能超声波处理器中超声24 h,然后将超声后的混合溶液在4000 r/min的离心机中离心30min,去掉下层的未剥离的氮化硼粉末,收集上层混合溶液,将得到的含有氮化硼纳米片的混合溶液除去溶剂,在真空烘箱中干燥,获得的氮化硼纳米片置于干燥器中保存备用;本发明操作简单,使用方便,大大提高产品性能及能量储存能力,具有耐热、耐寒特性。

技术领域

本发明涉及复合薄膜制备领域,具体涉及钛酸钡/氮化硼/聚酰亚胺三元复合薄膜的制备方法。

背景技术

随着信息科技的不断发展,电子产品的效率如摩尔定律所预测的那样,正在以指数的方式提高。下一代先进存储电能装置不仅要有好的性能,而且要有一个优化的设计。在电力电子系统中,电容器占据了系统很大的体积,有时甚至高达70%。集成电路和一些新技术的发展对电容器提出了新的要求,电容器不仅要具有可观的介电性能,未来的发展方向要朝小型化微型化发展,如何获得高储能密度的电容器是行业内亟待解决的核心问题。因此,提高电介质电容器的储能密度对其在储能应用方面具有非常重要的意义。电容器的储能密度由两电极之间分离相反静电荷的介电材料决定,材料要想获得高的储能密度,需要尽可能具备高的击穿强度和介电常数值。

发明内容

本发明目的在于提供一种操作简单,使用方便,大大提高产品性能及能量储存能力,具有耐热、耐寒特性的钛酸钡/氮化硼/聚酰亚胺三元复合薄膜的制备方法。

本发明钛酸钡/氮化硼/聚酰亚胺三元复合薄膜的制备方法,包括以下步骤:

第一步,氮化硼纳米片的制备,在、N-甲基吡咯烷溶液中通过超声剥离可以得到氮化硼纳米片,在干燥的烧杯中加入150mL的N-甲基吡咯烷溶液,搅拌加入2g的氮化硼粉末,混合均匀后放入高能超声波处理器中超声24 h,然后将超声后的混合溶液在4000 r/min的离心机中离心30min,去掉下层的未剥离的氮化硼粉末,收集上层混合溶液,将得到的含有氮化硼纳米片的混合溶液除去溶剂,在真空烘箱中干燥,获得的氮化硼纳米片置于干燥器中保存备用;

第二步,钛酸钡/氮化硼/聚酰亚胺复合薄膜的制备,在三口烧瓶中加入二氨基二苯醚和N-甲基吡咯烷,搅拌使二氨基二苯醚溶于N-甲基吡咯烷,然后分批加入均苯四甲酸二酐,在氮气气氛、冰浴条件下搅拌24 h,得到20%固含量的均苯四甲酸二酐-二氨基二苯醚聚酰胺酸溶液;将制备的氮化硼纳米片和钛酸钡加入到N-甲基吡咯烷中,同时将N-甲基吡咯烷加入到聚酰胺酸溶液中,并借助超声的方法辅助分散,继续搅拌12 h后,用刮刀将溶液均匀涂覆在玻璃板上,然后置于烘箱阶段升温,制备薄膜,冷却、脱模后得到钛酸钡/氮化硼/聚酰亚胺复合薄膜。

优选地,第二步中烘箱阶段升温具体为,在50℃保温30 min,100 ℃保温1 h,200℃保温l h,300℃保温l h。

本发明操作简单,使用方便,大大提高产品性能及能量储存能力,具有耐热、耐寒特性。

具体实施方式

实施例一:

本发明钛酸钡/氮化硼/聚酰亚胺三元复合薄膜的制备方法,包括以下步骤:

第一步,氮化硼纳米片的制备,在、N-甲基吡咯烷溶液中通过超声剥离可以得到氮化硼纳米片,在干燥的烧杯中加入150mL的N-甲基吡咯烷溶液,搅拌加入2g的氮化硼粉末,混合均匀后放入高能超声波处理器中超声24 h,然后将超声后的混合溶液在4000 r/min的离心机中离心30min,去掉下层的未剥离的氮化硼粉末,收集上层混合溶液,将得到的含有氮化硼纳米片的混合溶液除去溶剂,在真空烘箱中干燥,获得的氮化硼纳米片置于干燥器中保存备用;

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