[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜

说明书

本申请是申请日为2011年6月30日、申请号为201110184582.X、发明名称为“倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜。所述倒装芯片型半导体背面用膜用于保护半导体元件如半导体芯片的背面并且提高半导体元件的强度。

背景技术

近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装，已经广泛地利用其中通过倒装芯片接合将半导体元件如半导体芯片安装(倒装芯片连接)于基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片连接中，将半导体芯片以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件等中，可以存在半导体芯片的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见，专利文献1至10)。

专利文献1：JP-A-2008-166451

专利文献2：JP-A-2008-006386

专利文献3：JP-A-2007-261035

专利文献4：JP-A-2007-250970

专利文献5：JP-A-2007-158026

专利文献6：JP-A-2004-221169

专利文献7：JP-A-2004-214288

专利文献8：JP-A-2004-142430

专利文献9：JP-A-2004-072108

专利文献10：JP-A-2004-063551

然而，用保护膜保护半导体芯片背面需要将保护膜粘贴至在切割步骤中获得的半导体芯片的背面的额外步骤。结果，处理步骤的数量增加并且生产成本由此增加。近年来，半导体器件薄型化的趋势通常带来半导体芯片在将其拾取的步骤中被损害的问题。因此，为了提高半导体晶片和半导体芯片的机械强度的目的，需要在拾取步骤前将其补强。

迄今为止，被拾取的半导体芯片不直接安装在被粘物上，而是在一些情况下曾经使用贮存用构件来贮存。作为所述贮存用构件，可使用包括以下的结构：具有电子部件收纳凹部(例如，孔)的基体和用于覆盖所述电子部件收纳凹部的普通覆盖带。

然而，在通过使用贮存用构件贮存已经将上述半导体芯片背面用保护膜粘贴至其的半导体芯片的情况下，所述半导体芯片背面用保护膜和贮存用构件可能通常粘着在一起(彼此粘合)以致具有粘贴至其的半导体芯片背面用保护膜的半导体芯片不能从贮存用构件取出。

发明内容

考虑到前述问题已经作出本发明并且其目的是提供倒装芯片型半导体背面用膜和提供半导体背面用切割带集成膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜能够保护半导体元件并且利用其半导体元件能够从贮存用构件容易地取出。

为了解决上述问题，本发明人已经进行了勤勉地研究，结果，已经发现，当半导体背面用膜形成于半导体元件背面上时并且当将所述膜在不面向所述半导体元件背面侧上的面的表面粗糙度(Ra)在固化前控制为落入预定范围内时，则所述膜难以粘着(粘合)至贮存用构件，已经完成本发明。

即，本发明提供了一种要形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中当所述膜形成于半导体元件背面上时，所述膜在其不面向半导体元件背面的一个面的表面粗糙度(Ra)在固化前在50nm-3μm范围内。

当本发明的倒装芯片型半导体背面用膜形成于半导体元件背面上时，其发挥保护倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的功能。根据本发明的倒装芯片型半导体背面用膜，其中当所述膜形成于半导体元件背面上时，所述膜在其不面向半导体元件背面的一个面的表面粗糙度(Ra)在固化前落入50nm-3μm的范围内。因此，当将上述倒装芯片型半导体背面用膜已经粘贴至其的半导体元件贮存在贮存用构件中时，所述形成于所述半导体元件背面上的倒装芯片型半导体背面用膜在其贮存期间防止粘着或粘合至贮存用构件，并且当半导体元件从贮存用构件取出时，其能够容易地取出。此处，所述半导体元件背面是指与其上形成电路的表面相对的表面。

优选地，所述倒装芯片型半导体背面用膜的厚度落入2μm-200μm的范围。当所述厚度为至少2μm时，则能够提高所述膜的机械强度并且所述膜能够确保良好的自支持性(self-sustainability)。另一方面，当所述厚度为至多200μm时，可以将包括倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的半导体器件薄型化。

所述半导体元件的厚度优选落入20μm-300μm的范围。