[发明专利]一种波长可调制的电致发光器件

权利要求书

1.一种波长可调制的电致发光器件，其特征在于，包括了电压调制单元A1与发光器件A2，发光器件A2开启状态下，通过调节电压调制单元A1两端电压，实现对发光器件A2发射波长的调节；电压调制单元A1由M1、S1、I1、M2构成，且对发光器件A2发射的光具有反射特性；所述电压调制单元A1两端电极M1、M2为Ag、Sm、Yb、Au、Cu、Fe、Ni、Al、Ba/Ag、Ca/Ag、Cs/Ag、Li/Ag、Mg/Ag、Sm/Ag、Yb/Ag、Al/Au、Ba/Au、Ca/Au、Cs/Au、Li/Au、Mg/Au、Sm/Au、Yb/Au、Al/ITO、Ba/ITO、Ca/ITO、Cs/ITO、Li/ITO、Mg/ITO、Sm/ITO、Yb/ITO、Al/IZO、Ba/IZO、Ca/IZO、Cs/IZO、Li/IZO、Mg/IZO、Sm/IZO、Yb/IZO、Al：Ba、Al：Cs、Al：Li、Al：Mg、Al：Sm、Al：Yb、Ag：Ba、Ag：Cs、Ag：Li、Ag：Mg、Ag：Sm、Ag：Yb、ITO、IZO、石墨烯中的一种或多种构成的复合结构；I1为SiO₂、MgO、Al₂O₃、ZrO、CaO₂、ZrSiO₄、HfSiO₄、HfO₂、SiC、SiN、ZnS、AlN、AlGaN、GaN、La₂O₃中的一种；S1为ITO、TiN、ZrN、IGZO、InP、GaN、Si、Ge、SiGe、GaAs、GaP、InAs、InSb、PbS、InGaAs、Al：ZnO、Ga：ZnO中的一种；所述的发光器件A2和电压调制单元A1具有共同的电极M2；所述电压调制单元A1端电极M2厚度在10nm～100nm之间。

2.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述电压调制单元A1端电极M1厚度不低于10nm。

3.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述电压调制单元A1中两端电极M1、M2为连续的薄膜结构或能够独立加载电压的栅状薄膜结构。

4.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述电压调制单元A1中I1厚度为1～100nm。

5.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述电压调制单元A1中S1厚度为1～100nm。

6.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述电压调制单元A1表面针对300nm～800nm波长光的平均反射率不低于30％。

7.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述发光器件A2由电极M2，O1、O2、O3、O4、O5、O6构成的发光功能层和电极M3构成；其中O1为电极修饰层，O2为空穴注入层，O3为电子阻挡层，O4为发光层，O5为电子传输层，O6为电子注入层。

8.如权利要求7所述的电致发光器件，其特征在于，所述发光器件A2顶端光出射端面的电极M3为Ag、Sm、Yb、Au、Cu、Fe、Ni、Al、Ba/Ag、Ca/Ag、Cs/Ag、Li/Ag、Mg/Ag、Sm/Ag、Yb/Ag、Al/Au、Ba/Au、Ca/Au、Cs/Au、Li/Au、Mg/Au、Sm/Au、Yb/Au、Al/ITO、Ba/ITO、Ca/ITO、Cs/ITO、Li/ITO、Mg/ITO、Sm/ITO、Yb/ITO、Al/IZO、Ba/IZO、Ca/IZO、Cs/IZO、Li/IZO、Mg/IZO、Sm/IZO、Yb/IZO、Al：Ba、Al：Cs、Al：Li、Al：Mg、Al：Sm、Al：Yb、Ag：Ba、Ag：Cs、Ag：Li、Ag：Mg、Ag：Sm、Ag：Yb、ITO、IZO、石墨烯中的一种或多种构成的复合结构，且厚度不大于100nm。