[发明专利]具有带冲击通道和通过基板的通孔的冷却芯片层的电子组件

权利要求书

1.一种电子组件，包括：

冷却芯片结构，包括：

目标层，所述目标层包括定义多个微通道的多个翅片；

耦合到所述目标层的所述多个翅片的喷射冲击层，所述喷射冲击层包括：

部署在所述喷射冲击层内的多个喷射通道；以及

部署在所述喷射冲击层内的多个通过基板的通孔，其中：

所述多个通过基板的通孔是导电的并且电耦合到所述目标层；

所述多个喷射通道中的第一喷射通道比所述多个喷射通道中的第二喷射通道更靠近所述多个通过基板的通孔中的第一通过基板的通孔；以及

所述第一喷射通道包括比所述第二喷射通道的第二横截面流体面积小的第一横截面流体面积；以及

流体入口端口和流体出口端口，其中所述流体入口端口和所述流体出口端口流体耦合到所述喷射冲击层的所述多个喷射通道。

2.如权利要求1所述的电子组件，还包括半导体器件堆叠，所述半导体器件堆叠包括：

半导体器件，所述半导体器件包括与第二器件表面相对的第一器件表面以及部署在所述第一器件表面和所述第二器件表面之间的半导体材料；以及

电和热耦合到半导体器件的第二器件表面的第二电极，其中所述第一器件表面与所述第二器件表面相对，并且所述多个通过基板的通孔电耦合到所述目标层，其中所述目标层定义第一电极。

3.如权利要求2所述的电子组件，其中所述多个喷射通道将介电冷却流体指引到在所述多个通过基板的通孔电耦合到半导体器件堆叠的位置形成的多个热点上。

4.如权利要求1所述的电子组件，还包括：

电耦合到所述多个通过基板的通孔的、与所述冷却芯片结构的目标层相对的第三电极；以及

在所述喷射冲击层的表面和所述第三电极之间的间隙，其中包围所述多个通过基板的通孔中的每一个通过基板的通孔的喷射冲击层的一部分具有大于包围所述多个喷射通道中的每一个喷射通道的喷射冲击层的第二高度的第一高度。

5.如权利要求1所述的电子组件，其中所述多个微通道分散由跨所述目标层的所述多个喷射通道引入的介电冷却流体流。

6.如权利要求1所述的电子组件，其中所述多个喷射通道中的第三喷射通道比所述第二喷射通道在离所述第一通过基板的通孔更大距离处定位，并且所述第三喷射通道具有大于所述第二喷射通道的第二横截面流体面积的第三横截面的流体面积。

7.如权利要求1所述的电子组件，其中所述多个喷射通道中的第三喷射通道比所述第二喷射通道在离所述第一通过基板的通孔更大距离处定位，并且所述第三喷射通道具有等于所述第二喷射通道的第二横截面流体面积的第三横截面的流体面积。