[发明专利]一种无毛刺的光刻方法

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种无毛刺的光刻方法，包括以下步骤：S1、对晶圆进行预处理后在晶圆上涂覆一层负型光刻胶，通过光刻版对负型光刻胶进行选择性曝光，光刻机曝光剂量为100mj‑150mj，焦距偏差值小于1μm；S2、对曝光后的晶圆进行第一次旋覆浸没式显影，显影时间为40‑60s；S3、在步骤S2后对晶圆进行第二次旋覆浸没式显影，显影时间为40‑60s。本发明根据负型光刻胶的特性，通过限定曝光量、曝光焦距及2‑3次旋覆浸没式显影的时间，可以使负型光刻胶很好地形成上宽下窄、下层向内凹陷的图形，使金属在蒸镀过程中不会连续性布满在光刻胶上，从而避免光刻胶下层与金属粘连，使去胶后的金属层光滑无毛刺，提高器件电性，提升器件良率。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种无毛刺的光刻方法。

背景技术

在传统lift-off光刻工艺中，将负型光刻胶涂覆在晶圆1表面上，负型光刻胶在光学曝光方式下具有如下特性：上层接收能量较下层高，则上层曝光多的部分不容易被显掉，而下层曝光少的部分很容易溶解在显影液中，使得负型光刻胶成像为上宽下窄的倒梯形。如图1-2所示，该倒梯形角度斜坡较大，不易调整，这样蒸镀金属后，光刻胶2侧壁上形成的金属容易与填充区3内的金属粘连在一起，在去胶时，光刻胶2侧壁上的金属会被一同带起，导致与光刻胶2侧壁金属粘连在一起的一部分填充区3的金属也一同被带走，使留下的填充区3金属层4出现金属毛刺5，既影响美观又影响产品良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种使去胶后的金属层光滑无毛刺的光刻方法。

为达到上述要求，本发明采取的技术方案是：提供一种无毛刺的光刻方法，包括以下步骤：

S1、对晶圆进行预处理后在晶圆上涂覆一层负型光刻胶，通过光刻版对负型光刻胶进行选择性曝光，光刻机曝光剂量为100mj-150mj，焦距偏差值小于1μm；

S2、对曝光后的晶圆进行第一次旋覆浸没式显影，显影时间为40-60s；

S3、在步骤S2后对晶圆进行第二次旋覆浸没式显影，显影时间为40-60s。

显影的时间均控制在40-60s，如果显影时间太久，会使负型光刻胶下层被显掉的太多，形成的光刻胶图形底部太尖，有倒塌风险；显影的次数控制在2-3次，次数太多也会造成光刻胶图形底部太尖，有倒塌风险。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

(1)根据负型光刻胶的特性，通过限定曝光量、曝光焦距及2-3次旋覆浸没式显影的时间，可以使负型光刻胶很好地形成上宽下窄、下层向内凹陷的图形，使金属在蒸镀过程中不会连续性布满在光刻胶上，从而避免光刻胶下层与金属粘连，使去胶后的金属层光滑无毛刺，提高器件电性，提升器件良率；

(2)采用旋覆浸没式显影，该方式显影液用量少，且晶圆显影均匀。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1-2为现有光刻方法得到的金属层的结构示意图；

图3为本发明的流程图；

图4为本发明得到的光刻胶图形；

图5为本发明蒸镀金属时得到的图形；

图6为本发明得到的金属层的结构示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本申请作进一步地详细说明。为简单起见，以下描述中省略了本领域技术人员公知的某些技术特征。