[发明专利]TFT基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种TFT基板及其制作方法。该TFT基板的制作方法先在TFT上连续沉积金属薄膜与透明导电薄膜；再在透明导电薄膜上涂布光阻，并使用半色调掩膜板对光阻进行曝光、显影，得到第一光阻层与第二光阻层；然后蚀刻未被第一光阻层与第二光阻层所遮盖的透明导电薄膜与金属薄膜；接着对第一光阻层与第二光阻层进行灰化处理，去除第二光阻层；之后对裸露的透明导电薄膜进行蚀刻，暴露出未被剩余的第一光阻层所遮盖的金属薄膜；再对暴露出来的金属薄膜进行氧化处理，形成绝缘的金属氧化物薄膜作钝化层；最后剥离剩余的第一光阻层，暴露出被剩余的第一光阻层所遮盖的金属薄膜与透明导电薄膜作像素电极；能够减少光罩数量，节省制作成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板及其制作方法。

背景技术

平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛地应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)及有机电致发光显示器(Organic Light Emitting Display，OLED)。

现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(Backlight Module)。液晶面板的结构是由一彩色滤光片基板(Color Filter，CF)、一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor ArraySubstrate，TFT Array Substrate，简称TFT基板)以及一配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。

有机电致发光显示器同样需要TFT基板，以TFT作为开关部件和驱动部件，并在TFT基板上制作出呈阵列式排布的像素结构。

以氧化物半导体(如铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO))作为TFT的沟道层的技术是当前的热门技术。氧化物半导体具有较高的载流子迁移率，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，实现更快的刷新率，而且氧化物半导体与非晶硅制程相容性较高，所以氧化物半导体逐渐成为LCD及OLED中TFT的沟道层的首选材料。

在TFT基板中，各绝缘层(如栅极绝缘层、钝化层等)的材料一般采用氧化硅(SiOx)与氮化硅(SiNx)的叠层结构，而刻蚀SiOx的气体一般采用四氟甲烷(CF₄)，这种气体容易在金属(比如铜(Cu))表面形成化合物，影响金属表面的电接触特性。为了解决这个问题，在制作TFT基板时，通常会将TFT栅极所需要的过孔与TFT源/漏极所需要的过孔分开刻蚀，也就是将对栅极绝缘层挖洞与对钝化层挖洞分开进行，然后在钝化层上制作出像素电极，需使用一道光罩对栅极绝缘层做挖洞处理，使用另一道光罩对钝化层做挖洞处理，使用再一道光罩做出图案化的像素电极。可见，整个TFT基板的制程所需要的光罩数量较多，制作成本较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，能够减少制程所需要的光罩数量，节省制作成本，提升产能。

本发明的另一目的在于提供一种TFT基板，其制作成本较低，产能较高。

为实现上述目的，本发明首先提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤S1、提供一衬底基板，在所述衬底基板上制作出呈阵列式排布的TFT；

步骤S2、在所有TFT上连续沉积一层金属薄膜与一层透明导电薄膜；

步骤S3、在所述透明导电薄膜上涂布光阻，并使用半色调光罩对光阻进行曝光、显影，对所述光阻进行图案化处理，得到第一光阻层与第二光阻层，且第一光阻层的厚度大于第二光阻层的厚度；