[发明专利]三维存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种三维存储器形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括外围区和核心区；

在所述核心区上形成台阶结构，并在所述外围区和所述台阶区上形成掩盖层；

刻蚀所述台阶结构对应的掩盖层，形成第一接触孔凹槽；

形成覆盖掩盖层的上表面及所述第一接触孔凹槽的侧壁和底部的保护层；

刻蚀所述外围区对应的掩盖层及保护层，形成第二接触孔凹槽；

采用干法刻蚀工艺去除掩盖层上的保护层及所述第一接触孔凹槽底部的保护层后，对当前的第一接触孔凹槽进行清洗；

在清洗后的第一接触孔凹槽和第二接触孔凹槽中沉积金属并进行平坦化处理，形成对应的第一接触孔和第二接触孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述核心区上形成台阶结构，具体包括：

在所述核心区上形成叠层结构，所述叠层结构包括多层交错沉积的氮化物层和氧化物层，氮化物层形成于相邻的氧化物层之间；

刻蚀所述叠层结构形成台阶结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述外围区和所述台阶区上形成掩盖层，具体为：将四乙氧基硅烷作为前驱反应物，采用低压化学气相沉积或者等离子体化学气相沉积的方法，在所述外围区和所述台阶区上沉积二氧化硅形成掩盖层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用原子层沉积法或者炉管化学气相沉积法在550度至650度的温度下沉积氮化硅，形成所述保护层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层的厚度介于40埃至100埃之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除掩盖层上的保护层及所述第一接触孔凹槽底部的保护层后，采用湿法清洗工艺清洗当前的第一接触孔凹槽。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在当前的第一接触孔凹槽和第二接触孔凹槽中沉积钨形成对应的第一接触孔和第二接触孔。

8.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括外围区和核心区；

形成于所述核心区上的台阶结构；

形成于所述外围区和所述台阶结构上的掩盖层；

形成于所述掩盖层中的第一接触孔和第二接触孔；

所述第一接触孔位于所述台阶结构上，且所述第一接触孔中含有保护层；所述第二接触孔位于所述外围区上。

9.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述第一接触孔中含有的保护层，具体为：厚度介于40埃至100埃之间的氮化硅。