[发明专利]一种用于标定3D NAND产品位线短接缺陷的方法

权利要求书

1.一种用于标定3D NAND产品位线短接缺陷的方法，其特征是，包含以下步骤：

通过电压-电流测量确定位线结构中两根短接的位线；

将所述位线结构从背面处理，减薄背面硅基层，直至栓塞层即将露出；

研磨掉剩余的硅基层，露出栓塞层；

跟踪所述位线结构的版图走向，找出与所述两根短接的位线分别连接的栓塞层；

在两个栓塞层上分别沉积金属盘；

使用扫描近场光学显微镜的两个探针，分别扎在两个所述金属盘上，使用所述扫描近场光学显微镜的激光照射所述位线结构，抓取热点，并在所述热点附近打标记；

在所述位线结构的背面二次研磨，直到将所述位线结构中的第一通孔磨掉，然后使用扫描电镜观察所述标记的附近区域，即可得到两根位线的短接位置。

2.根据权利要求1所述的一种用于标定3D NAND产品位线短接缺陷的方法，其特征是：

使用等离子刻蚀设备减薄所述背面硅基层。

3.根据权利要求2所述的一种用于标定3D NAND产品位线短接缺陷的方法，其特征是：

所述等离子刻蚀设备采用以下设备之一：反应离子刻蚀机、顺流等离子体刻蚀机、直接等离子体刻蚀机。

4.根据权利要求1所述的一种用于标定3D NAND产品位线短接缺陷的方法，其特征是：

所述栓塞层由钨、钴、铜、铝中的一种或多种制成。

5.根据权利要求1所述的一种用于标定3D NAND产品位线短接缺陷的方法，其特征是：

所述研磨方法采用化学机械研磨法。

6.根据权利要求1所述的一种用于标定3D NAND产品位线短接缺陷的方法，其特征是：

所述金属盘由钨、钴、铜、铝中的一种或多种制成。

7.根据权利要求1或6所述的一种用于标定3D NAND产品位线短接缺陷的方法，其特征是：

使用聚焦离子束沉积所述金属盘。

8.根据权利要求1所述的一种用于标定3D NAND产品位线短接缺陷的方法，其特征是：

在所述二次研磨过程中，依次研磨掉金属盘、栓塞层、第二通孔、金属层、第一通孔，但保留填充在所述位线结构中的氧化层。